High Bandwidth Memory (HBM) ist ein Halbleiterspeicher mit hoher Bandbreite, der über einen Silizium-Interposer mit Prozessoren verbunden ist. HBM nutzt extreme Parallelisierung statt hoher Taktraten und besteht aus gestapelten DRAM-Chips. Es wird hauptsächlich in teuren KI-Rechenbeschleunigern eingesetzt, ist jedoch aufgrund der hohen Kosten ein Nischenprodukt.
PSRAM kombiniert Eigenschaften von DRAM und SRAM und wird in mobilen Geräten und eingebetteten Systemen eingesetzt. Es benötigt keine externe Refresh-Logik, ist kostengünstiger und stromsparender als SRAM, bietet jedoch geringere Speicherkapazitäten und Geschwindigkeit, weshalb er eher in Mikrocontrollern verwendet wird.
Diese Cheat Sheets umfassen die Einteilung der Halbleiterspeicher mit ihren unterschiedlichen Arten der Speicherung bzw. Datenhaltung. Zum Beispiel ROM und RAM mit ihren unterschiedlichen Varianten, sowie Flash Memory.
Der Arbeitsspeicher wird auch als Hauptspeicher bezeichnet. Manchmal verwendet man auch RAM, die Abkürzung für Random Access Memory.
SDRAM ist der am häufigsten verwendete Arbeitsspeicher bzw. Hauptspeicher in Computersystemen. Um die Übertragungsgeschwindigkeit der SDRAM-Speichermodule zu erhöhen setzt man auf das Double-Data-Rate-Verfahren (DDR) indem man beide Taktflanken (aufsteigend und absteigend) zur Übertragung nutzt.
Resistive RAM, kurz ReRAM oder RRAM, ist eine Speichertechnik, die eine steuerbare Änderung des Widerstands (Resistance) in speziellen Materialkombinationen zur Speicherung von Informationen nutzt.
Unter RRAM bzw. ReRAM versteht man alle Speichertypen, die Widerstandsänderungen zum Speichern von Informationen ausnutzen.
RAM bezeichnet einen Speichertyp dessen Speicherzellen über ihre Speicheradressen direkt angesprochen werden können. In diesem Zusammenhang wird auch von „wahlfrei“ gesprochen, was sich auf „random“ bezieht und nichts mit „Zufall“ oder „zufälligem Zugriff“ zu tun hat.
RAM wird in Computer- und Mikrocontroller-Systemen als Arbeitsspeicher eingesetzt. Weil in der Regel nur RAM als Arbeitsspeicher verwendet wird, wird RAM gerne als Abkürzung für Arbeitsspeicher verwendet.
OUM beruht auf dem thermisch gesteuerten Wechsel (Phase Change) zwischen einem kristallinen und amorphen Zustand. Der Widerstand zwischen amorphen und kristallinen Zustand unterscheidet sich um den Faktor 40 bis 100. Auf diese Weise ist das Auslesen des gespeicherten Zustands durch eine Widerstandsmessung möglich. Denkbar wäre auch, mehr als ein Bit in der Widerstandsänderung in definierten Stufen abzubilden.
Die PCxxxx-Spezifikation ist ein Bezeichnungssystem für DIMM-Speichermodule für DDR-SDRAM-Speicher. Für DDR2-SDRAM und DDR3-SDRAM wurde das Bezeichnungssystem leicht angepasst, blieb in seiner ursprünglichen Bedeutung gleich.
Die JEDEC legt in der PCxxxx-Spezifikation die elektrischen und zeitlichen Parameter, sowohl für den Speichercontroller als auch für die Speicherchips, festgelegt. Festgelegt ist auch, wie die Speichermodule aufgebaut sein müssen. Die JEDEC schreibt ganz bestimmte zulässige Chip-Kombinationen vor, deren Beschaltung und technische Parameter bis ins kleinste Detail definiert sind. So wird sicher gestellt, dass sich die Chips unterschiedlicher Kapazität und Hersteller immer nach dem gleichen Schema ansprechen lassen.
DDR-SDRAM entspricht dem normalen SDRAM, jedoch mit einer kleinen Modifikation: Bei der Übertragung der Daten wird nicht nur die ansteigende Flanke, sondern auch die abfallende Flanke des Taktsignals genutzt. Effektiv ist das eine Taktverdopplung. Rein rechnerisch entsteht so eine Verdopplung der Übertragungsrate.
RAM bezeichnet eine Speichertyp dessen Speicherzellen über ihre Speicheradressen direkt angesprochen werden können. In diesem Zusammenhang wird auch von „wahlfrei“ gesprochen, was sich auf „random“ bezieht und nichts mit „Zufall“ oder „zufälligem Zugriff“ zu tun hat. In diesem Zusammenhang spricht man von „Speicher mit wahlfreiem Zugriff“ oder „Direktzugriffsspeicher“.