PCRAM beruht auf dem thermisch gesteuerten Wechsel (Phase Change) zwischen einem kristallinen und amorphen Zustand eines Materials. Die Widerstände zwischen dem amorphen und kristallinen Zustand unterscheiden sich voneinander und lassen sich für unterschiedliche Speicherzustände nutzen.
Schlagwort: OUM
OUM – Ovonic-Unified-Memory
OUM beruht auf dem thermisch gesteuerten Wechsel (Phase Change) zwischen einem kristallinen und amorphen Zustand. Der Widerstand zwischen amorphen und kristallinen Zustand unterscheidet sich um den Faktor 40 bis 100. Auf diese Weise ist das Auslesen des gespeicherten Zustands durch eine Widerstandsmessung möglich. Denkbar wäre auch, mehr als ein Bit in der Widerstandsänderung in definierten Stufen abzubilden.