Wenn keine geeigneten bipolaren Transistoren für kleine Kollektorströme und für hohe Spannungen zur Verfügung stehen, kann man vielleicht MOSFETs einsetzen. Vielleicht, weil das ist, je nach Schaltung, nicht immer möglich. Dies z.B. dann, wenn die Steuerquelle nur eine sehr kleine Spannung zur Verfügung stellt, die nicht ausreicht für eine ausreichende Gate-Source-Spannung. Wenn diese Spannung jedoch wenigstens etwas grösser ist, als die Basis-Emitter-Schwellenspannung eines bipolaren Transistors und die Quelle genügend Basistrom für einen solchen Transistor liefern kann, dann besteht die Möglichkeit zwei bipolare Transistoren zu kaskadieren, um die zu hohe Kollektor-Emitter-Spannung auf zwei Transistoren zu verteilen. Es sind grundsätzlich auch mehr als zwei Transistoren kaskadierbar. Allerdings hat diese Kaskadierung auch ihre Tücken und genau dies ist das erweiterte Thema im vorliegenden Elektronik-Minikurs in einem neuen Kapitel.
Wenn die Schaltflanken, welche die Transistor-Kaskade steuern, zu steil sind, schalten nicht beide Transistoren gleich schnell. Dies hat zur Folge, dass kurzzeitig (etwa 0.1 ms) ein Transistor eine zu hohe Kollektor-Emitter-Spannung erreicht und dies kann im schlimmsten Fall diesen Transistor zerstören. Diesem Problem kann man einfach begegnen, in dem man die Flankenssteilheit des Schaltsignales etwas reduziert. Dies wird im Kapitel ÜBERSPANNUNG TROTZ TRANSISTORKASKADE mit Bild 9 thematisiert und genau beschrieben.
