UPDATE: Der 555-CMOS-Timer als Impulsbreitenmodulator (PWM) zur Steuerung eines kleinen DC-Ventilators

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Das 555er-Timer-IC, ob in der bipolaren oder in der CMOS-Version, bietet die Möglichkeit der PWM-Erzeugung mit einer Steuerspannung. Die Steuerung bis zu einem sehr kleinen Tastgrad ist jedoch, IC-intern schaltungsbedingt, nicht möglich. Ist diese Eigenschaft jedoch wichtig und es genügt die Einstellung des Tastgrades mit einem Potmeter, ist dies leicht realisierbar mit der CMOS-Version LMC555 oder TLC555. Es funktioniert deshalb nur mit der CMOS-Version, weil nur diese die Möglichkeit bietet, einen stabilen Rechteckgenerator mit nur einem Timing-Widerstand und einem Timing-Kondensator zu realisieren. Auf dieser Grundlage stützt sich dieser 555-CMOS-Elektronik-Minikurs. Vermittelt wird die Grundlage dazu hier:

Das vorliegende Update besteht aus dem neuen Kapitel „NOCH STABILERE 555-PWM-SCHALTUNG MIT 555-TREIBER“. Die Schaltung in Bild 4 mit einem kleinen Ventilator, PWM-gesteuert und mit einem MOSFET, funktioniert prima und ist nachbaubar. Das Titelbild hier besteht aus vier Teilen. Teilbild A zeigt die Schaltung in Bild 4 mit reduzierter Wiedergabe. Genau genommen wird auch hier die PWM-Erzeugung, durch die Ansteuerung der Gate-Source-Kapazität des MOSFET, rückwirkend geringfügig beeinflusst. Bei dieser Anwendung fällt es nicht auf, ist unkritisch und deshalb ohne zusätzlichen Treiber realisierbar.
Teilbild B zeigt einen invertierenden Treiber, bestehend aus einem zweiten LMC555 (IC:B) und einer Transistorstufe mit schnellschaltenden Transistoren. Die punktierte Verbindung zwischen Pin 3 des LMC555 (IC:B) und dem MOSFET, deutet an, dass man auch ohne Transistorstufe auskommt, wenn es genügt die so eben genannte Rückwirkung zu vermeiden. Die Treiberleistung verbessert sich dadurch nicht. Dies kann aber dann notwendig sein, wenn eine höhere Kapazität (z.B. ein Piezogeber) gesteuert wird, angedeutet in Teilbild D.

Titelbild C zeigt die Alternative der MOSFET-Steuerung mit dem Discharge-Ausgang (Opendrain) des LMC555. Es wird genau erklärt, warum es nicht empfehlenswert, das Gate des MOSFET direkt mit dem Discharge-Ausgang zu verbinden. Diese Schaltung dürfte sich speziell mit geringstem Aufwand für kapazitive Geber eignen. Man beachte dazu die Punkte T in den Bildern C und D.

Viel Spass beim Lesen und möge dieser Inhalt zu eigenen Projektideen anregen.

Gruss
Euer ELKO-Thomas