FRAM, oder auch FeRAM, bedeutet Ferroelectric Random Access Memory. Der Speicher- und Löschvorgang wird durch eine Polarisationsänderung in einer ferroelektrischen Schicht realisiert. Eine Variante davon ist PFRAM (Polymer Ferroelectric RAM), das eine dünne Schicht aus ferro-elektrischem Polymer zwischen zwei Metalllegierungen polarisiert.
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