OUM - Ovonic-Unified-Memory
OUM beruht auf dem thermisch gesteuerten Wechsel (Phase Change) zwischen einem kristallinen und amorphen Zustand. Der Widerstand zwischen amorphen und kristallinen Zustand unterscheidet sich um den Faktor 40 bis 100. Auf diese Weise ist das Auslesen des gespeicherten Zustands durch eine Widerstandsmessung möglich. Denkbar wäre auch, mehr als ein Bit in der Widerstandsänderung in definierten Stufen abzubilden.
Die Phase-Change-Technik ist bereits von den wiederbeschreibbaren CDs und DVDs bekannt. Mit dem Unterschied, dass dort der Unterschied der Reflektion zwischen amorphem und kristallinem Zustand gemessen wird. Bei OUM wird die Widerstandsänderung des Materials gemessen.
Der Zustand einer Speicherzelle wird durch das Anlegen einer Spannung verändert. Der Zustandswechsel erfolgt schneller als beim Flashspeicher und es reicht dafür eine Spannung von einem Volt aus. Als Speicherelemente kommen Dioden, und nicht wie sonst üblich Transistoren, zum Einsatz. Das spart Platz.
Beim Schreiben wird die speichernde Schicht kurzzeitig über den Schmelzpunkt in den amorphen Zustand (ungeordneter Zusand mit hohem Widerstand) oder durch langsames Erhitzen bis unterhalb des Schmelzpunktes in den polykristallinen Zustand (geordneter Zustand mit niedrigem Widerstand) gebracht.
Als Material eignen sich Chalcogeniden. Das ist zum Beispiel eine dreikomponentige Legierung aus Germanium, Antimon und Tellur. Dieses Material kann in verschiedenen Zuständen existieren. Und es hält doppelt so viele Speicherzyklen wie Flashspeicher aus.
Die Adressierung einzelner Zellen erfolgt über zeilen- und spaltenweise angeordnete Leiterbahnen. Geschickterweise lässt sich der Speicher mit einer Dünnfilmtechnik herstellen. Das hat Potential für System-on-a-Chip-Lösungen.
Übersicht: Halbleiterspeicher
- ROM - Read Only Memory
- RAM - Random Access Memory
- DRAM - Dynamic RAM
- SDRAM - Synchronous DRAM
- DDR-SDRAM (DDR1 / DDR2 / DDR3)
- Rambus-DRAM
- Flash-Speicher
- FRAM - Ferroelectric RAM
- MRAM - Magnetoresistive RAM
Weitere verwandte Themen:
- Halbleiterspeicher
- Arbeitsspeicher / Hauptspeicher
- FET - Feldeffekttransistoren - Unipolarer Transistor
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