RRAM / ReRAM - Resistive RAM
Unter Resistive RAM, kurz ReRAM oder RRAM, versteht man alle Speichertypen, die Widerstandsänderungen zum Speichern von Informationen ausnutzen.
Es ist eine Speichertechnik, die eine steuerbare Änderung des Widerstands (Resistance) in speziellen Materialkombinationen zur Speicherung von Informationen nutzt. Der eigentliche physikalische Effekt äußerst sich so, dass ein elektrisch isolierendes Material (Dielektrikum) bei einer bestimmten Spannung plötzlich einen deutlich geringeren elektrischen Widerstand aufweist.
Aufbau einer ReRAM-Speicherzelle
Eine RRAM-Speicherzelle kann aus einem Kondensator bestehen, der aus nanometerdünnen Schichten zusammengesetzt ist. Als Träger eignen sich flexible Kunststoffe. Die beiden äußeren Schichten dienen als Elektroden. Dafür eignet sich zum Beispiel Indiumzinnoxid (ITO). Als Dielektrikum eignet sich Zinkoxid (ZnO).
Fujitsu arbeitet mit RRAM-Zellen, die aus je einer Transistor-Widerstand-Kombination (1T1R) bestehen. Dazu verwenden sie eine Lage von vier Schichten, bei der zwischen zwei äußerem Platinfilmen eine Titanoxid- und eine Titan-dotierte Nickeloxidschicht liegt. Samsung arbeitet mit Oxid-Dioden statt Transistoren (1D1R). Bei Matsushita wird Eisenoxid als Speichermaterial verwendet.
Entwicklung
RRAM bzw. ReRAM gilt neben FRAM, MRAM und PCRAM als Flash-Alternative auf CMOS-Basis. Die resistive Technik kombiniert die Vorzüge des nichtflüchtigen NAND-Flash-Speichers mit denen von DRAM. Es ist schneller und haltbarer als NAND-Flash. Das Unternehmen HPE hat die Entwicklung an Memristoren eingestellt.
Weitere verwandte Themen:
- Halbleiterspeicher (Elektronischer Datenspeicher)
- Flash-Memory / Flash-Speicher
- FRAM - Ferroelectric RAM
- MRAM - Magnetoresistive RAM
- PCRAM - Phase Change RAM
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