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Feage zum MOSFET-Verhalten (Elektronik)

verfasst von PhilippNrX, 03.04.2008, 20:06 Uhr

» » Hallo,
» » Ist es so richtig?
» » Wenn ich einen MOSFET im Drain-Pfad nur gering belaste (zB >10kOhm)
» dann
» » brauche ich nur eine geringe Spannung am Gate um ihn komplett
» » durchzusteuern, zB von 2V bis 2.2V.
»
» Richtig. Wenn Du die Transfer-Kennlinie des BS170 betrachtest
» http://www.parallax.com/Portals/0/Downloads/docs/prod/acc/BS170.pdf
» (Fiigure 5), dann siehst Du, dass nur 2 V, auch bei ganz kleinem Strom,
» schon etwas knapp ist.
»
» » Wenn die Last allerdings hoch ist,
» » also wenige Ohm, dann brauche ich eine Spannung von 2V bis 4V (oder
» mehr)
» » um ihn komplett durchzusteuern??
»
» Richtig. Schau Dir die Diagramme des BS170 mal ganz genau an und lies dazu
» meinen folgenden Elektronik-Minikurs:
»
» "Lowpower-MOSFET-Minikurs und
» Batterie-Betriebsspannung-Abschaltverzögerung"
» http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/battoff.htm
»
» Lies Kapitel "Kondensatorentladungsmethode mit MOSFET-Schaltung" und dabei
» besonders die letzten beiden Abschnitte nach Bild 4.
»
» Gruss
» Thomas
» --
» Mein ELKO-Buch ueber Opamp und Instrumentation-Amplifier:
» http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/index.htm#my_literatur
» http://www.elektronik-kompendium.de/shop/buecher/operationsverstaerker-und-instrumentationsverstaerker
» (Instrumentations-Verstaerker = echter Differenzverstaerker)

Jup, Danke für die Antwort. Ich werde mich da mal durch arbeiten.
Gibt es denn Möglichkeiten, den Gate-Spannungsbereich (von Sperren bis Leiten) zu verändern? Also entweder ein Offset verpassen, oder alles mit einem konstanten Faktor zu multiplizieren.

Gruß Philipp