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Board-AnsichtFeage zum MOSFET-Verhalten (Elektronik)
verfasst von schaerer
, Kanton Zürich (Schweiz), 03.04.2008, 16:32 Uhr
» Hallo,
» Ist es so richtig?
» Wenn ich einen MOSFET im Drain-Pfad nur gering belaste (zB >10kOhm) dann
» brauche ich nur eine geringe Spannung am Gate um ihn komplett
» durchzusteuern, zB von 2V bis 2.2V.
Richtig. Wenn Du die Transfer-Kennlinie des BS170 betrachtest
http://www.parallax.com/Portals/0/Downloads/docs/prod/acc/BS170.pdf
(Fiigure 5), dann siehst Du, dass nur 2 V, auch bei ganz kleinem Strom, schon etwas knapp ist.
» Wenn die Last allerdings hoch ist,
» also wenige Ohm, dann brauche ich eine Spannung von 2V bis 4V (oder mehr)
» um ihn komplett durchzusteuern??
Richtig. Schau Dir die Diagramme des BS170 mal ganz genau an und lies dazu meinen folgenden Elektronik-Minikurs:
"Lowpower-MOSFET-Minikurs und
Batterie-Betriebsspannung-Abschaltverzögerung"
http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/battoff.htm
Lies Kapitel "Kondensatorentladungsmethode mit MOSFET-Schaltung" und dabei besonders die letzten beiden Abschnitte nach Bild 4.
Gruss
Thomas 
--
Mein ELKO-Buch ueber Opamp und Instrumentation-Amplifier:
http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/index.htm#my_literatur
http://www.elektronik-kompendium.de/shop/buecher/operationsverstaerker-und-instrumentationsverstaerker
(Instrumentations-Verstaerker = echter Differenzverstaerker)
--
Gruss
Thomas
Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9
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