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Schutz im Schaltbetrieb manchmal nötig... (Elektronik)

verfasst von schaerer(R)  E-Mail, Kanton Zürich (Schweiz), 07.11.2016, 20:11 Uhr

Hallo Hartwig

» ja, das kenne ich auch so - allerdings reicht in vielen Fällen eine Diode
» wie die 1N4148, 4ns ist ja auch nicht so langsam.

Weiss ich, und z.B. eine BAT43 ist mit maximal 5 ns auch nicht schneller:
http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/vishay/85660.pdf

Du hast natürlich Recht, bei der vorliegenden Anwendung genügt eine Si -Diode.

Mein Problem war, dass ich mit den Gedanken irgendwie wegdrifftete zum CMOS-Eingangsschutz. Da darf der Eingang bei LOW-Pegel GND-0.7V sicher nicht unterschreiten und bei HIGH-Pegel Ub+0.7V sicher nicht überschreiten. Verwendet man hier eine Si-Diode, kann das problematisch werden, ausser man schaltet zwischen dieser Diode und dem CMOS-Eingang noch einen Widerstand hinzu zur strommässigen Entlastung, um einen Latchup zu verhindern.

Dazu ein Schaltbild, wie das gemeint ist:


Quelle: http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/pullr.htm

Mit dem soeben angedeuteten Widerstand ist R3 gemeint. R1 und C sind speziell auf das Thema im Minikurs bezogen, - muss also nicht sein.

--
Gruss
Thomas

Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9

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