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MOSFET-Ansteuerung, nicht ganz so einfach! (Elektronik)

verfasst von schaerer , Kanton Zürich (Schweiz), 04.06.2016, 10:20 Uhr
(editiert von schaerer am 04.06.2016 um 10:25)

» Die Gatekapazität liegt bei 15nF, das ist wirklich viel. Also sollte
» wirklich ein Treibertransistor vornedran. Da reicht ja ein kleiner Mosfet
» sicher aus (BS170), oder ein eben stinknormaler Transistor. Und wenns nur
» bis 10kHz funzt, ist das vielleicht noch vertretbar (LEDs oder Motoren mit
» PWM-Ansteuerung).

Der BS170 benötigt einen Drain-Widerstand - ein BJT einen Kollektorwiderstand - um am Gate des zu steuernden Power-MOFET ein HIGH- und ein LOW-Pegel zu erzeugen.

Dies hat, am Beispiel des BS170, zur Folge, dass der Quellwiderstand im unteren Ohmbereich liegt, beim LOW-Pegel, wenn der BS170 leitet.

Liefert der BS170 ein HIGH-Pegel, dann steigt die Spannung am Drain erst mal nach der Zeitkonstante, gegeben durch den Drainwiderstand und der Gate-Source-Kapazität von 15 nF des Power-MOFET.

Die Flankensteilheit an diesem Gate muss signifikant grösser sein, als die minimale Impulsdauer des HIGH-Pegels. Das musst Du berücksichtigen.

Das Berechnen des Drain-Widerstandes ist also eine einfache Sache. Je nach Wert, kann es sein, dass der Drainstrom am BS170 zu hoch ist.

Wenn dies der Fall ist, dann ist es besser einen richtigen Gate-Treiber zu verwenden oder Du realisierst selber eine kleine Gegentaktendstufe mit einem NPN- und PNP-BJT. Ganz nach Belieben...

Hier ein Beispiel mit einem 2N3904 und 2N3906:

Es verblüfft, dass es noch einen LMC555 (nicht lila!) quasi als Vortreiber hat. Mehr dazu liest man hier:

. . . "Der 555-CMOS-Timer als Impulsbreitenmodulator (PWM) zur Steuerung eines kleinen DC-Ventilators"
. . . . . http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/pwm555.htm

--
Gruss
Thomas

Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9

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