Forum

Guten Morgen
meine ersten Bemühungen mit herkömmlichen Transistoren sind nicht ganz erfolgreich geweswn.
http://www.elektronik-kompendium.de/forum/forum_entry.php?id=254916&page=0&order=last_answer&descasc=desc&category=all

Deshalb habe ich jetzt die Schaltung mit MOSFET aufgebaut.



Ich habe nur den J477_P_MOS von Fuzi gefunden. Der hat zwar schon eine niedrige Einschaltspannung, ist aber kein ausgewiesener Logic Level. Mit ihm komme ich nur auf einen LED-Strom von 200mA.

N-Channel MOSFET LL habe ich.
Deshalb meine Frage.
Kann man die Schaltung auf N-MOSFET umstellen?

--
Gruß
Rudi, der oszilose Lochrasterbastler

» Guten Morgen
» meine ersten Bemühungen mit herkömmlichen Transistoren sind nicht ganz
» erfolgreich geweswn.
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» Deshalb habe ich jetzt die Schaltung mit MOSFET aufgebaut.
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» Ich habe nur den J477_P_MOS von Fuzi gefunden. Der hat zwar schon eine
» niedrige Einschaltspannung, ist aber kein ausgewiesener Logic Level. Mit
» ihm komme ich nur auf einen LED-Strom von 200mA.
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» N-Channel MOSFET LL habe ich.
» Deshalb meine Frage.
» Kann man die Schaltung auf N-MOSFET umstellen?

Hallo,
nimm einfach den richtigen Mosfet, z.B.:
http://www.mouser.com/ds/2/196/Infineon-I45P03P4L_11-DS-v01_00-en-785379.pdf
oder einen anderen aus der Kollektion:
http://www.mouser.de/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET/_/N-ax1sf?P=1z0z63xZ1yzxnagZ1z0y3dtZ1yw75v8Z1yw78gzZ1yw78foZ1yw78fvZ1yw78hrZ1yw78hlZ1yw8oxeZ1yw8nd9Z1yw8phxZ1yw8o4b&Rl=ax1sfZgjdhp2Z1yw75weZ1yw78hpSGT
Grüße
Altgeselle

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» meine ersten Bemühungen mit herkömmlichen Transistoren sind nicht ganz
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»
» Deshalb habe ich jetzt die Schaltung mit MOSFET aufgebaut.

Das ist auch richtig so, allrdings mit einem der bei deutlich weniger als 6V-Gate-Source-Spannung durchsteuert. Das ist bei dem der Fall, den Dir der Altgeselle vorschlägt.

»
» Ich habe nur den J477_P_MOS von Fuzi gefunden. Der hat zwar schon eine
» niedrige Einschaltspannung, ist aber kein ausgewiesener Logic Level. Mit
» ihm komme ich nur auf einen LED-Strom von 200mA.

Überleg doch bitte mal: Kann es einen P-Kanal-MOSFET geben, der Logic-Level-fähig ist.....

» N-Channel MOSFET LL habe ich.
» Deshalb meine Frage.
» Kann man die Schaltung auf N-MOSFET umstellen?

P-Kanal-FET ist heutzutage die richtige Wahl, wegen der ausreichend niedrigen Gate-Source-Spannung um die Drain-Source-Strecke durch zu steuern.

--
Gruss
Thomas

Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9

Hallo Thomas
»
» Überleg doch bitte mal: Kann es einen P-Kanal-MOSFET geben, der
» Logic-Level-fähig ist.....
So wie du fragst, nein.
Komisch, im Datenblatt des IPB45P03 steht:
"P-channel - Logic Level - Enhancement mode"

» » N-Channel MOSFET LL habe ich.
» » Deshalb meine Frage.
» » Kann man die Schaltung auf N-MOSFET umstellen?
»
» P-Kanal-FET ist heutzutage die richtige Wahl, wegen der ausreichend
» niedrigen Gate-Source-Spannung um die Drain-Source-Strecke durch zu
» steuern.
Ich habe mir immer die Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung im Datenblatt angesehen. Sowas blödes. Da hab' ich wohl noch einiges zu lernen. Und ich weiß jetzt, ich muss mir welche kaufen. Ich habe zwar schon einige Geräte auseinander genommen, aber immer nur N-MOSFETs gefunden.

--
Gruß
Rudi, der oszilose Lochrasterbastler

Hallo Altgeselle, irgendwie konnte ich mit deinem Posting nichts anfangen. Ich bin auch nicht Kunde bei Mauser. Aber Thomas hat mich aufgeklärt, wonach ich suchen muss, und dass ich um Kaufen nicht herum komme, was das Weiterkommen wieder mal verzögert.
Danke

--
Gruß
Rudi, der oszilose Lochrasterbastler

Hallo Rudi,

» Ich habe mir immer die Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung im Datenblatt
» angesehen. Sowas blödes.

Nein, ist gar nicht blöd. Man sollte ja auch wissen, wie hoch etwa die maximale Gate-Source- Spannung sein darf, wo der MOSFET so gut wie noch nicht leitet. Das hat u.U. einiges mit dem den Signal/Störsignal-Abstand zu tun, je nach Anwendungskriterien.

Aber man muss auch die G/S-Spannung kennen, bei dem der D/S-Widerstand für den Schaltzustand maximal niederohmig ist.

» Da hab' ich wohl noch einiges zu lernen. Und ich
» weiß jetzt, ich muss mir welche kaufen. Ich habe zwar schon einige Geräte
» auseinander genommen, aber immer nur N-MOSFETs gefunden.

Und ganz wichtig, beim Lernen auch Experimentieren. Und Experimentieren heisst auch Spielen. Das gehört zusammen. Psychologie pur, nenn ich das.

Vielleicht wieder mal dies zur Empfehlung:

"Simulieren und Experimentieren, ein Vorwort von Jochen Zilg"
. . . . http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/vorwort.htm

--
Gruss
Thomas

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Danke, deine Worte machen mir Mut.
Also werde ich weiter basteln.
Ich hatte ja auch schon Erfolge in Form von Erkenntnisgewinn. Z. B. weiß ich jetzt, dass man einen BS170 nicht einfach anfassen darf. Das wollte ich damals garnicht fassen als mir olit erklärte, der Fehler ist der defekte Transistor.
Ich mach' weiter, auch wenn mal was explodiert.
Ich stelle einfach einen Eimer Wasser neben den Arbeitstisch.

--
Gruß
Rudi, der oszilose Lochrasterbastler

Hallo Rudi4,

» Danke, deine Worte machen mir Mut.

Danke ebenfalls, freut mich zu lesen, wenn ich helfen kann.

» Also werde ich weiter basteln.

Und dabei auch lesen, worauf es ankommt, wie man mit etwas umgeht und durchaus auch Datenblätter und Application-Notes lesen, wenn diese praxisbezogen und verständlich genug sind. Sonst helfen u.a. auch die ELKO-Grundkurse und meine ELKO-Minikurse weiter.

» Ich hatte ja auch schon Erfolge in Form von Erkenntnisgewinn. Z. B. weiß
» ich jetzt, dass man einen BS170 nicht einfach anfassen darf.

Nicht das Gate anfassen, wenn es nicht beschaltet ist, weil dies enorm hochohmig ist. Da sind sind Werte von 10^12 Ohm oder höher angegeben.

Dazu kommt, dass diese "kleinen" MOSFETs noch relativ niedrige Gate-Source-Kapazitäten haben. Das hat zur Folge, dass bei Berührung des Gates, sehr schnell eine Spannung anliegt zwischen Gate und Source (je nach örtlicher Situation), dass es zum Durchbruch kommt. Es genügt, wenn Du vorher auf einem Kuststoffstuhl gesessen bist und aufstehst....

Bei "grossen" MOSFETs gilt prinzipiell die selbe Vorsichtsmassnahme, aber es passiert eher seltener etwas beim Berühren, weil die Kapazität zwischen Gate und Source meist im nF-Bereich, teils weit mehr als 10 nF, liegen kann. Diese Kapazität muss erst aufgeladen werden bei Berührung. Die Kapazität zwischen Mensch und Umgebung liegt etwa im untersten 100pF-Bereich.

Dies einfach zur Vollständigkeit, damit Du die (MOS-)FET-Problematik erkennst und passend einschätzen kannst.

» Das wollte ich damals gar nicht fassen als mir olit erklärte, der Fehler ist der defekte Transistor.

Vielleicht hättest Du es fassen können, wenn Du gezielte Fragen zurück an Olit gestellt hättest. Ich will damit sagen, dass es wichtig ist in solchen Dingen den rational logischen Umgang zu pflegen.

» Ich mach' weiter, auch wenn mal was explodiert.

Was willst Du denn machen, bei dem Du eine Explosion fürchten musst?

» Ich stelle einfach einen Eimer Wasser neben den Arbeitstisch.

Besser wäre wohl ein Schaumlöscher mit nicht leitendem Schaum und wenn möglich vorher den Netzstecker von der Dose ziehen!

Solltest Du wirklich gefährliche Experimente anstellen, dann am Besten gleich Helm und Schutzbrille anziehen.

--
Gruss
Thomas

Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
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» Guten Morgen

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Gerald
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...und täglich grüßt der PC:
"Drück' ENTER! Feigling!"

Guten Morgen Thomas,
Danke für die Aufklärung bezüglich VGS.
Das hat mir sehr weiter geholfen.

»
» Was willst Du denn machen, bei dem Du eine Explosion fürchten musst?
»
Na z.B. habe ich letzten Winter einen Elko mit ein paar 100 kHz beschaltet. Das hat schon ganz schön geknallt, und kann auch ins Auge gehen.
Oder ich habe einen neuen 9V-Block aus der Verpackung genommen und in's Schubfach geworfen. Ein paar Tage später fand ich ihn verschrumpelt wieder. Er muss dort irgendwie einen Kontakt gesucht und gefunden haben. Ich hätte nie gedacht, dass diese Batterie bei Kurzschluss so warm werden kann.
»
» » Ich stelle einfach einen Eimer Wasser neben den Arbeitstisch.
»
» Besser wäre wohl ein Schaumlöscher mit nicht leitendem Schaum und wenn
» möglich vorher den Netzstecker von der Dose ziehen!

Der Eimer Wasser ist doch nicht zum Löschen. Der ist da, um den Kopf rein zu stecken, damit man im Katastrophenfall einen kühlen Kopf bewahrt.
»
einen schönen Tag und anspruchsvolle Fragen

--
Gruß
Rudi, der oszilose Lochrasterbastler

» » Guten Morgen
»
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»
» Gerald
» ---

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Gruß
Rudi, der oszilose Lochrasterbastler

Gut'n Morgen



Das PIR-Modul schaltet hight auf 3,3V.
Damit Schaltet T1 durch und legt das Gate von T2 auf -Vdd (oder GND) abzüglich der Spannung, die über T1 und R3 abfällt.
Da die Batterien bis 4V arbeiten sollen, brauche ich also einen P-MOS, der schon bei 3V genügend durchschaltet (370mA)
Schaltet das PIR-Modul Low, legt es die Basis von T1 auf GND. T1 sperrt.
T2 wird über R2 entladen und schaltet die SD-Strecke ab.

Hab' ich mich richtig ausgedrückt?

--
Gruß
Rudi, der oszilose Lochrasterbastler

Hallo,
» Überleg doch bitte mal: Kann es einen P-Kanal-MOSFET geben, der
» Logic-Level-fähig ist.....



Vishay hat nicht überlegt, die haben sogar so viele, dass sie die verkaufen

Grüße
Hartwig

(leider halten die wohl nicht, was sie versprechen - die Aussichten, die mit ECL erfolgreich direkt anzusteuern, sind nicht sehr groß

Grüße
Hartwig

»
»
» Das PIR-Modul schaltet hight auf 3,3V.
» Damit Schaltet T1 durch und legt das Gate von T2 auf -Vdd (oder GND)
» abzüglich der Spannung, die über T1 und R3 abfällt.
» Da die Batterien bis 4V arbeiten sollen, brauche ich also einen P-MOS, der
» schon bei 3V genügend durchschaltet (370mA)
» Schaltet das PIR-Modul Low, legt es die Basis von T1 auf GND. T1 sperrt.
» T2 wird über R2 entladen und schaltet die SD-Strecke ab.
»
» Hab' ich mich richtig ausgedrückt?

Passt schon.

Für den MOSFET gibts so aber nicht viel Auswahl, fast nur die paar von Vishay/Siliconix.

Danke, dann werd' ich die Sache mal angehen.

--
Gruß
Rudi, der oszilose Lochrasterbastler

» N-Channel MOSFET LL habe ich.
» Deshalb meine Frage.
» Kann man die Schaltung auf N-MOSFET umstellen?

Ich verstehe immer noch nicht, warum man da nicht einfach den n-Kanal Mosfet in die -Leitung zur LED-Versorgung legt?