Forum

Hallo,
Ist es so richtig?
Wenn ich einen MOSFET im Drain-Pfad nur gering belaste (zB >10kOhm) dann brauche ich nur eine geringe Spannung am Gate um ihn komplett durchzusteuern, zB von 2V bis 2.2V. Wenn die last allerdings hoch ist, also wenige Ohm, dann brauche ich eine Spannung von 2V bis 4V (oder mehr) um ihn komplett durchzusteuern??

MfG Philipp

» Hallo,
» Ist es so richtig?
» Wenn ich einen MOSFET im Drain-Pfad nur gering belaste (zB >10kOhm) dann
» brauche ich nur eine geringe Spannung am Gate um ihn komplett
» durchzusteuern, zB von 2V bis 2.2V.

Richtig. Wenn Du die Transfer-Kennlinie des BS170 betrachtest
http://www.parallax.com/Portals/0/Downloads/docs/prod/acc/BS170.pdf
(Fiigure 5), dann siehst Du, dass nur 2 V, auch bei ganz kleinem Strom, schon etwas knapp ist.

» Wenn die Last allerdings hoch ist,
» also wenige Ohm, dann brauche ich eine Spannung von 2V bis 4V (oder mehr)
» um ihn komplett durchzusteuern??

Richtig. Schau Dir die Diagramme des BS170 mal ganz genau an und lies dazu meinen folgenden Elektronik-Minikurs:

"Lowpower-MOSFET-Minikurs und
Batterie-Betriebsspannung-Abschaltverzögerung"
http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/battoff.htm

Lies Kapitel "Kondensatorentladungsmethode mit MOSFET-Schaltung" und dabei besonders die letzten beiden Abschnitte nach Bild 4.

Gruss
Thomas
--
Mein ELKO-Buch ueber Opamp und Instrumentation-Amplifier:
http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/index.htm#my_literatur
http://www.elektronik-kompendium.de/shop/buecher/operationsverstaerker-und-instrumentationsverstaerker
(Instrumentations-Verstaerker = echter Differenzverstaerker)

--
Gruss
Thomas

Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9

» » Hallo,
» » Ist es so richtig?
» » Wenn ich einen MOSFET im Drain-Pfad nur gering belaste (zB >10kOhm)
» dann
» » brauche ich nur eine geringe Spannung am Gate um ihn komplett
» » durchzusteuern, zB von 2V bis 2.2V.
»
» Richtig. Wenn Du die Transfer-Kennlinie des BS170 betrachtest
» http://www.parallax.com/Portals/0/Downloads/docs/prod/acc/BS170.pdf
» (Fiigure 5), dann siehst Du, dass nur 2 V, auch bei ganz kleinem Strom,
» schon etwas knapp ist.
»
» » Wenn die Last allerdings hoch ist,
» » also wenige Ohm, dann brauche ich eine Spannung von 2V bis 4V (oder
» mehr)
» » um ihn komplett durchzusteuern??
»
» Richtig. Schau Dir die Diagramme des BS170 mal ganz genau an und lies dazu
» meinen folgenden Elektronik-Minikurs:
»
» "Lowpower-MOSFET-Minikurs und
» Batterie-Betriebsspannung-Abschaltverzögerung"
» http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/battoff.htm
»
» Lies Kapitel "Kondensatorentladungsmethode mit MOSFET-Schaltung" und dabei
» besonders die letzten beiden Abschnitte nach Bild 4.
»
» Gruss
» Thomas
» --
» Mein ELKO-Buch ueber Opamp und Instrumentation-Amplifier:
» http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/index.htm#my_literatur
» http://www.elektronik-kompendium.de/shop/buecher/operationsverstaerker-und-instrumentationsverstaerker
» (Instrumentations-Verstaerker = echter Differenzverstaerker)

Jup, Danke für die Antwort. Ich werde mich da mal durch arbeiten.
Gibt es denn Möglichkeiten, den Gate-Spannungsbereich (von Sperren bis Leiten) zu verändern? Also entweder ein Offset verpassen, oder alles mit einem konstanten Faktor zu multiplizieren.

Gruß Philipp

» Gibt es denn Möglichkeiten, den Gate-Spannungsbereich (von Sperren bis
» Leiten) zu verändern? Also entweder ein Offset verpassen, oder alles mit
» einem konstanten Faktor zu multiplizieren.

Ja, durch vorschalten eines passend beschalteten
Operationsverstärkers.
Gruss
Harald

» Gibt es denn Möglichkeiten, den Gate-Spannungsbereich (von Sperren bis
» Leiten) zu verändern?

Am FET selbst sicher nicht.
Entweder Schaltung vor das Gate oder anderen FET nehmen (mit anderen Ugs Werten)

hws

» Ja, durch vorschalten eines passend beschalteten
» Operationsverstärkers.
» Gruss
» Harald

Mit einem Addierer?! Sowas hatte ich schon mal, da gab es nur das Problem, dass der OpAmp sowie der ne555, die Quelle, am Ausgang nicht von 0V bis +U_0 gehen.
Rail-to-rail bedeutet doch eben dies, oder?
Wie sieht denn dazu die Schaltung im IC aus? Man könnte sich die "Endstufe" doch bestimmt auch selbst zusammen bauen.

Gruß Philipp

» oder anderen FET nehmen (mit anderen Ugs
» Werten)

Gibt es Power-Fets mit U_gs von ca 2.5 bis 3.5V? Je geringer der Abstand, desto besser.

Gruß Philipp

» » Ja, durch vorschalten eines passend beschalteten
» » Operationsverstärkers.
» » Gruss
» » Harald
»
» Mit einem Addierer?! Sowas hatte ich schon mal, da gab es nur das Problem,
» dass der OpAmp sowie der ne555, die Quelle, am Ausgang nicht von 0V bis
» +U_0 gehen.
» Rail-to-rail bedeutet doch eben dies, oder?
» Wie sieht denn dazu die Schaltung im IC aus? Man könnte sich die
» "Endstufe" doch bestimmt auch selbst zusammen bauen.

Solange Du nicht genauer sagst, was Du eigentlich bauen
willst, kann man auch keine genauere Antworten geben.
Für kleine Ansteuerspannungen nimmt man typisch keinen
FET, sondern einen bipolaren Transistor.
Gruss
Harald

» Für kleine Ansteuerspannungen nimmt man typisch keinen
» FET, sondern einen bipolaren Transistor.

Die ziehen aber so viel Strom. Ich habe mir mal welche aus Monitoren ausgelötet, danz schön dicke Dinger im Vergleich zu Mosfets..
Ist doch richtig, wenn ich ins Datenblatt schaue, steht da z.B. B=20, und bei I_c von mehreren Ampere, kommt die Treiberstufe irgendwann nicht mehr mit.

» Solange Du nicht genauer sagst, was Du eigentlich bauen
» willst, kann man auch keine genauere Antworten geben.

Das erzähl ich gerne. Aber mir ist aufgefallen, dass lange Beiträge hier im Forum oft "untergehen".
Ich werde mal schauen, dass ich hier nen kompletten Text schreibe, mir sind da nämlich noch eine paar Sachen unklar.. es geht um Hochspannung (was vielleicht einige auch abschreckt).

MfG Philipp

Hallo,
"Dicke Dinger" nimmt man auch nicht für die Verstärkerstufe.
Erzähl mal was du willst und lass dich nicht von Hochspannung abschrecken.
Hochspannung ist ab 1 kV.
MfG
Scotty

--
Nur wer nichts macht, macht keine Fehler
wer keine Fehler macht, wird befördert.

es macht keinen Spass, jemandem die Informationen einzeln aus der Nase zu ziehen und zu merken, man diskutiert über was völlig falsches, weil der Frager wesentliche Informationen zurückhält.

Ich gehe mal davon aus, dass du mit nem 555 nen Rechteckgenerator gebaut hast und mit dem FET / Transistor deinen Zeilentrafo ansteuern willst?

Und was funktioniert nicht und wie willst du das mit irgendeiner Gatespannungsverschiebung lösen?

Dann stell doch mal deine jetzige Schaltung rein. Das Detailproblem "FET Ansteuerung" wird man einfacher lösen können, wenn es nur um Rechteck Ansteuerung geht.

hws

» Erzähl mal was du willst

Ist grade geschehen!! Im Forum.

und lass dich nicht von Hochspannung
» abschrecken.
» Hochspannung ist ab 1 kV.

Niemals!!

Gruß Philipp

» Ich gehe mal davon aus, dass du mit nem 555 nen Rechteckgenerator gebaut
» hast und mit dem FET / Transistor deinen Zeilentrafo ansteuern willst?

...du hast doch die "Kristallkugel", gib es zu!
Also stimmt fast.

» Dann stell doch mal deine jetzige Schaltung rein.

Eben geschehen. Und nicht zu knapp..

» Das Detailproblem "FET
» Ansteuerung" wird man einfacher lösen können, wenn es nur um Rechteck
» Ansteuerung geht.

Ja? Immer gerne.

MfG philipp