FET - Feldeffekt-Transistor / Unipolarer Transistor

Durch ein elektrisches Feld wird der Stromfluss durch den leitenden Kanal des Feldeffekt-Transistors gesteuert. Durch eine angelegte Spannung an der Steuerelektrode wird das elektrische Feld beeinflusst.

Es gibt folgende Feldeffekt-Transistoren:

Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor (Junction-FET, JFET)
Isolierschicht-Feldeffekt-Transistor
MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET)
Lowpower-MOSFET von Thomas Schaerer
Unijunctiontransistor (UJT)
Dual-Gate-MOS-FET

Anschlüsse

Schaltzeichen N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor
Die Anschlüsse beim FET werden anders bezeichnet als beim bipolaren Transistor. Die Anschlüsse haben aufgrund anderer physikalischer Eigenschaften eine andere Bedeutung.
Das Gate (Tor), kurz G, ist die Steuerelektrode. Der Drain (Abfluss), kurz D, ist mit dem Kollektor vergleichbar. Über diesen Anschluss fließt der Elektronenstrom ab. Der Source (Quelle), kurz S, ist mit dem Emitter vergleichbar. Dort fließt der Elektronenstrom in den FET hinein.

Übersicht einiger Feldeffekttransistoren

Typ	Kanal	I_D/A	U_DS/V	P_D/W	R_DS(ON)/Ω	Gehäuse
BSN 10A		max. 175 mA	max. 50	-	max. 15	TO-92
BUZ 10	N	19	50	75	0,1	TO-220
BUZ 11	N	30	50	75	0,04	TO-220
BUZ 20	N	12	100	75	0,2	TO-220
BUZ 24	N	32	100	125	0,06	TO-3
BUZ 71	N	12	50	40	0,12	TO-220
BTS 100	P	1,5	50	-	0,3	TO-220
BUZ 271	P	22	50	125	0,15	TO-220
IRF 9530 U	P	12	100	75	0,3	TO-220
IRF 9543	P	15	50	125	0,3	TO-220