FET - Feldeffekt-Transistor / Unipolarer Transistor
Durch ein elektrisches Feld wird der Stromfluss durch den leitenden Kanal des Feldeffekt-Transistors gesteuert. Durch eine angelegte Spannung an der Steuerelektrode wird das elektrische Feld beeinflusst.
Es gibt folgende Feldeffekt-Transistoren:
- Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor (Junction-FET, JFET)
- Isolierschicht-Feldeffekt-Transistor
- MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET)
- Lowpower-MOSFET von Thomas Schaerer
- Unijunctiontransistor (UJT)
- Dual-Gate-MOS-FET
Anschlüsse
Die Anschlüsse beim FET werden anders bezeichnet als beim bipolaren Transistor. Die Anschlüsse haben aufgrund anderer physikalischer Eigenschaften eine andere Bedeutung.
Das Gate (Tor), kurz G, ist die Steuerelektrode. Der Drain (Abfluss), kurz D, ist mit dem Kollektor vergleichbar. Über diesen Anschluss fließt der Elektronenstrom ab. Der Source (Quelle), kurz S, ist mit dem Emitter vergleichbar. Dort fließt der Elektronenstrom in den FET hinein.
Übersicht einiger Feldeffekttransistoren
| Typ | Kanal | ID/A | UDS/V | PD/W | RDS(ON)/Ω | Gehäuse |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSN 10A | max. 175 mA | max. 50 | - | max. 15 | TO-92 | |
| BUZ 10 | N | 19 | 50 | 75 | 0,1 | TO-220 |
| BUZ 11 | N | 30 | 50 | 75 | 0,04 | TO-220 |
| BUZ 20 | N | 12 | 100 | 75 | 0,2 | TO-220 |
| BUZ 24 | N | 32 | 100 | 125 | 0,06 | TO-3 |
| BUZ 71 | N | 12 | 50 | 40 | 0,12 | TO-220 |
| BTS 100 | P | 1,5 | 50 | - | 0,3 | TO-220 |
| BUZ 271 | P | 22 | 50 | 125 | 0,15 | TO-220 |
| IRF 9530 U | P | 12 | 100 | 75 | 0,3 | TO-220 |
| IRF 9543 | P | 15 | 50 | 125 | 0,3 | TO-220 |
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