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Board-AnsichtMUR860 (Elektronik)
verfasst von matzi682015
, Aachen, 01.08.2020, 00:38 Uhr
» » Hallo, mich interessiert, welches Element in der o.a. Diode verbaut ist,
» in
» » Datenblättern finde ich nur "glass-passivated ion-implanted, epitaxial
» » construction", ist es Schottky, Silizium, oder gibt es da noch was
» anderes
» » (Ge ist ja out)
»
» Silizium.
» Mit Schwermetallen dotiert um geringe Durchlasspannungen zu erreichen.
» Schottky würde die hohen Sperrspannungen nicht ermöglichen.
laut Datenblatt hat die MUR860 aber bis zu 0,5V... 0,8V mehr Durchlass-Spannungsabfall als eine Si-Diode.
Ok, das hat sie dann eben als "kleinen Nachteil" nebst der Schnelligkeit von 50...60 ns.
Gibt es eine Erklärung, mit welchen Metallen sie dotiert sind? Und wieso Schwermetalle? Es gibt ja auch Dotierungen mit u.a. Aluminium-Atomen, was ja kein Leichtmetall ist.
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Matthes 
Gesamter Thread:
, 31.07.2020, 00:48