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Gate-Widerstand Mosfet TS2581 (Elektronik)
» Hallo!
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» Ich habe mal wieder eine Frage.
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» Im Datenblatt des TS2581 soll der Gate-Widerstand R1 gleich 0Ohm haben.
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» Nach einer Messung beträgt die Spannung an C3 (Gatespannung) gleich 8V.
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» Bei einem max. Gate-Strom von 0,5A (Datenblatt) müsste der R1 doch mind.
» 16Ohm betragen?
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» Hat der IC evt. eine interne Strombegrenzung, und daher R1 = 0Ohm ?
»
» Danke
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» https://pdf1.alldatasheetde.com/datasheet-pdf/view/561677/TSC/TS2581.html
» https://www.elektronik-kompendium.de/forum/upload/20200523054440.pdf
Wenn mit R1 in der Schaltung (ApplicationNote-Beispiel) der Widerstand vor dem P-Kanal-MOSFET gemeint ist, dann hat dies überhaupt nichts mit einer Strombegrenzung zu tun. Dieser R1 dient dazu, dass der MOSFET beim steilflankigen Umschalten des Drainstromes nicht in Schwingung gerät, das sich als Bursts bei den Flanken auf dem Oszi zeigen würden.
Im Text, wo geschrieben stehen soll, dass dieser R1 Null Ohm haben muss? Ist mir beim Duurchblättern nicht aufgefallen. Such das mal und zeig es bitte.
Es kann tatsächlich sein, dass dieser Widerstand nahe bei Null Ohm liegen muss, speziell dann, wenn die Schaltfrequenz relativ hoch ist, damit die Steilheit der Schaltflanken nicht darunter leidet. Dies würde den Wirkungsgrad verschlechtern. In diesem Fall wird anstelle von R1 oft eine kleine Induktivität eingesetzt.
Ich hoffe, das hilft Dir etwas weiter. Ich guck am Abend wieder mal rein.
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Gruss
Thomas
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