Forum
Labor-Netzteil: Vergleich mit Graetz-Brücken-GR (Schaltungstechnik)
» Aber es müsste ein N-chanel und ein P-chanel sein, damit es eine steuerbare
» Diode wird. Ansonsten sind es 2 Bodydioden hintereinander.
Braucht es erfreulicherweise nicht. Die beiden B-Dioden liegen natürlich in Serie, und zwar (wichtig !!) gegeneinander (Anode an Anode). So kann nur noch der winzige Leckstrom der gerade in Sperrrichtung liegenden durchgehen. Die FETs schalten und leiten jedenfalls, der eine ganz "regulär" im 1. Quadranten (I-D fließt von D nach S) und der zweite im 3. Quadranten (I-D fließt von S nach D).
Nebenbei ist eben die G-Ansteuerung für beide genau die gleiche, nämlich das G muss jeweils (ca. 5-10V, für den im 3. Qu. sogar noch niedriger) positiv ggü. dem Source-Anschluss werden; das ist der Vorteil dabei. .
Nun kommt noch ein schöner Effekt dazu: Derjenige FET, der im 3. Qu. arbeitet, wird -wie gesagt- sogar bei noch deutlich niedrigerer GS-Spannung (ab ca. 1-2V, obwohl kein LL-FET) schon deutlich besser leitend, so dass er immer VOR dem FET im 1. Quadranten schon niederohmig(er) ist.
Irgendwo in diesem Bereich sehe ich momentan auch die Problematik des Simulationspragramms, dass es damit nicht zurechtkommt.
Grüße und GN8
Michael
--
Grüße
Michael
Gesamter Thread: