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FeFETs läuten eine neue Ära für nichtflüchtige Speicher ein (Elektronik)
Die Ferroelectric Memory GmbH (FMC) aus Dresden stellt mit ihren FeFETs (ferroelektrischen FETs) eine Speichertechnologie vor, die die ferroelektrischen Eigenschaften einer Kristallkonfiguration von dotiertem Hafniumoxid (HfO2) nutzt. Skalierbar, CMOS-kompatibel und rein auf einem Feldeffekt beruhend lassen sich mit der Technologie Speicher mit hoher Geschwindigkeit und signifikant reduzierter Leistungsaufnahme fertigen.
Fachartikel von Dr.-Ing. Nicole Ahner
Wenn man mehr erfahren will, von ALL-ELECTRONICS.DE:
. . . . . . https://www.all-electronics.de/fefets-nichtfluechtige-speicher/1/
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Gruss
Thomas
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