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Schalten mit Mosfet - Lowseitig: eine Vielleicht-Alternative (Elektronik)

verfasst von schaerer(R)  E-Mail, Zürich (Schweiz), 26.11.2014, 09:41 Uhr
(editiert von schaerer am 17.05.2015 um 12:42)



» » R4 bis R6 benötigt es nur, damit die Gates sicher auf GND-Potenzial
» » gesetzt sind, falls die Steuereingänge offen sind.
»
» Falls aber im laufenden Betrieb geschaltet werden soll, sind 100k u.U. viel
» zu viel. Das Gate wird dann zu langsam entladen und der Millereffekt trägt
» seinen Teil bei, man gerät ruckzuck ausserhalb der SOA.

Da hast Du recht, wenn es wie beim Schalter so ist, wie im Schema gezeigt wird, dass der Eingang zum Gate unterbrochen wird. Im Falle eines *elektronischen* Umschaltens von HIGH nach LOW passiert das nicht.

Eigentlich wäre es bei dieser Anwendung - worstcase betrachtend - besser zwischen Schalter und MOSFET-Gate ein Treiber zu schalten. Das könnte man mit einem 6fach-CMOS-Inverter des Typs CD4069UB realisieren. Zwischen jedem Schalter-Ausgang und MOSFET-Gate zwei dieser Inverter in Serie. R4 bis R6 weg von den MOSFETs und hin zu den CMOS-Eingängen.

Mit der Z-Diode muss man den CD4069UB speisen. Mit 15 VDC ist man allerdings am oberen Limit, wenn auch noch erlaubt. Besser und genügend wäre eine 12V-Z-Diode, wenn da die Shuntwiderstände nicht wären...

Auf dessen Spannungen kommt es sehr an, ob man denn nicht noch die Schaltung genauer überdenken müsste...

Parallel zu C1, jedoch nahe beim CD4069UB ein Kerko, mit 100 nF.

--
Gruss
Thomas

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Gesamter Thread:

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