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Wir fangen früher an ... (Elektronik)

verfasst von hws(R) E-Mail, 59425 Unna, 15.07.2011, 17:31 Uhr

» Spannung von 1 V zwischen Basis-Emitter (ohne U_BE jetzt)
 Zwischen Basis und Masse/gnd. Bei 1k:
» 1 V / 1000 Ohm = 0,001 A
 1mA - korrekt
» U_E = 0,001 A / 1000 Ohm = 0,000001
Was zum Teufel soll Strom/Widerstand sein? Spannung = Strom MAL Widerstand!

Bei dem idealisierten Transistor haben wir mal die 0,7V Ube vernachlässigt und sagen: am Emitter liegt dieselbe Spannung wie an der Basis.

Ub = Ue = 1V, Also Spannung von Basis zu Masse = Spannung Emitter zu Masse. Und weil zwischen Emitter und Masse der Emitterwiderstand liegt, liegt an dem auch dieselbe Basisspannung und es fließt (bei 1K Widerstand) der Strom von 1mA.

Diese 1mA fließen aber auch durch den Kollektor.

» U_C = 0,001 A / 10000 Ohm = 0,0000001 V
U_C bezeichnet eigentlich: Spannung von Kollektor zu Masse. Und Spannung = Strom MAL Widerstand.
Über den 10k Kollektorwiderstand fallen also 10V ab.

» Nun eine Spannung von 1,1 V zwischen Basis-Emitter:
» 1,1 V / 1000 Ohm = 0,0011 A
 Ja, 1,1 mA

» Durch den höheren Strom der zwischen R_E und R_C fließt

der fließt nicht ZWISCHN sondern DURCH die beiden Widerstände.

» verändert sich auch die Spannung an R_E:
» U_E = 0,0011 A / 1000 = 0,0000011 V
» U_C = 0,0011 A / 10000 = 0,00000011 V
Wir lernen das Ohmsche Gesetz und bekommen in diesem Fall richtig gerechnet raus: Durch Emitter- und Kollektorwiderstand fließen beide 1,1mA.
Über den Emitterwiderstand liegen nun 1,1V und über den Kollektorwiderstand 11V.

» Also ich hab da raus, das die Differenz um ein 1/10

Rechne korrekt und die Spannungsunterschiede sind an der Basis 0,1V, am Emitter(Widerstand) ebenfalls 0,1V und am Kollektorwiderstand 1V.

Und jetzt bin ich in Urlaub, lass dir Grundlagen und ohmsches Gesetz von jemand anders beibringen. Schöne Ferien.

hws

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