Forum
Board-AnsichtTTL - NAND - Erklärung (Elektronik)
» » Hallo, ich habe eine Frage zum TTL-NAND-Gate, wie es heir dargestellt
» » wird:
» »
» » http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/a/ac/7400_Circuit.svg
» »
» » Luat meinem Script ist folgendes beschrieben:
» » Sind die beiden Eingänge auf H geschaltet, so wird V1 leitend und die
» falsch, V1 sperrt aber die Kollektor-Basis-Diode leitet
» » Basis von V2 bekommt positives Potential. Hierdurch wird auch V2
» leitend.
» ok
» » Das V2 leitend wird, bewirkt wiederrum das V3 auch leitend wird und V4
» » schließt.
» falsch, V2 wird leitend, dadurch wird V4 leitend und
» V3 sperrt
» »
» » Nun meine Frage:
» » Warum bewirkt eine Druchschaltung des Transistors V2, dass V3 leitend
» » wirkt, V4 jedoch sperrt ?
» tut er nicht
» » Nach meinem logischen Verständnis müssten beide leitend werden.
» nein, V3 sperrt, weil Ube < 0,6V wg. V5
» »
» » Bitte helft mir
» Skript selber mitgeschrieben?
» Grüße
» Altgeselle
sorry hatte mich beim abtipseln vertan, hier steht auch, dass V3 sperrt und V4 durchschaltet.
Aber meine Frage ist immer noch nicht ganz beantwortet. Warum ist UBE von V3 < 0,6 Volt ???
An der Basis liegt doch wegen dem Spannunsteiler ca 2V an, am Emitter liegt 0.7V an (wegen der Diode).
Macht für mich als UBE 1.3V.
???
Gesamter Thread:
, 06.08.2009, 20:25, 06.08.2009, 21:05