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Impulsschaltung zum Einschalten (Elektronik)

verfasst von Fraenk, 05.08.2009, 17:05 Uhr

» » » Diode parallel zum Ladewiderstand.
» »
» » Ok, aber irgendwie versteh ich den Sinn nicht ganz
»
» Dann mach noch einen Lastwiderstand parallel zum NT rein.

Mh, mal schaun, das Problem ist dann nur, dass immer ein mehr oder minder hoher Leckstrom fließen wird.
Meine Eingangsspannung beträgt 12V, bricht beim Anschließen aber auf 4,6V zusammen, da die Caps mit voller Leistung geladen werden. Vielleicht mach ich auch eine Strombegrenzung rein, so dass die Eingangsspannung auf 7V einbricht und dann die MOSFET Schaltung mit fast keinem Leckstrom wieder funktioniert.
Danke aber für die Tips.

» » Nur leider weiß ich
» » auch keine besseren Ersatz.
»
» MOSFET?

Welchen und wie? Das Relais schaltet die positive Leitung, und da verwendet man doch bevorzugt P-Kanal MOSFETS, oder?
Da er aber schon bei 5V voll durchschalten muss wäre eher ein N-Kanal geeignet, da es diese auch in TTL/Logic oder wie man das nennt, Varianten gibt.

Und einen Spannungsabfall haben MOSFETS doch ebenso wie Bipolartransistoren, nur eben nicht so ein großer.
Wenn ich aber bspw. den BS170 anschaue (da ich den als N-Kanal MOSFET da habe), dann hat er einen nicht zu vernachlässigen Innenwiderstand, wenn ich die Kennlinien nicht falsch deute.

Ich kenn mich mit MOSFETS nicht gut aus, habe eigentlich nichts mit denen bisher gemacht, von daher ist es auch sehr gut möglich, dass ich da aus den Datenblättern was falsches raus lese.