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Diodenrichtung (Elektronik)

verfasst von Torsten(R) E-Mail, 24.05.2009, 21:48 Uhr
(editiert von Torsten am 24.05.2009 um 22:16)

» Ich überleg nur, ob es Sinn macht, vom Gate noch einen 1k-Widerstand auf Plus (PMos) bzw. Minus (NMos) zu geben, damit die Mosfets besser/schneller schalten können. Wär das richtig?
Da es kein LL-Mosfet ist, nehme ich mal an, die H-Brücke wird nicht direkt über einen µC-Ausgang angesteuert, sondern dazwischen sitzt noch eine Gegentaktbipolarstufe à la BC337 / BC327.
Der Umladestrom im Einschaltvorgang ist also im wesentlichen durch den 100 Ohm Widerstand in der Gate-Leitung begrenzt. Im Ausschaltfall fließt also ein deutlich höherer Umladestrom.
Daher ist der 1k Widerstand nicht erforderlich.

Schaden wird es aber nicht. ;-)

Gruß
Torsten

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Gesamter Thread:

Diodenrichtung - triti(R), 24.05.2009, 19:02 (Elektronik)
Diodenrichtung - Gast, 24.05.2009, 19:15
Diodenrichtung - Torsten(R), 24.05.2009, 19:22
Diodenrichtung - triti(R), 24.05.2009, 19:52
Diodenrichtung - Torsten(R), 24.05.2009, 21:48
Danke.... - triti(R), 25.05.2009, 12:00
Diodenrichtung - Elko_Scotty(R), 24.05.2009, 20:48
Diodenrichtung - x y, 25.05.2009, 06:44
Diodenrichtung - Elko_Scotty(R), 25.05.2009, 09:28