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Brauche Hilfe bei der Dimensionierung eines Schaltnetzteils (Elektronik)

verfasst von J.R. , 14.05.2009, 00:30 Uhr
(editiert von J.R. am 14.05.2009 um 00:32)

Hallo Fritz,

» Das dumme ist nur - mit einem MOSFET liessen sich die Verluste da nicht
» wesentlich reduzieren. Peak fliessen primär bis zu 20 A, mal die 2 V UCE,
» die der IGBT hat.
» Dann nehme ich halt nen MOSFET - nur muss der auch sehr grosse Spannungen
» aushalten können (wegen Überschwinger halt) -> sprich RDS(ON) wird grösser
» -> mehr Verlust.
» Tja, was jetzt?

Bei einem parallelgespeisten Gegentaktwandler müssen die MOSFETs nicht wesentlich mehr als die doppelte Betriebsspannung aushalten. Hier mein obligatorischer Hinweis auf Beispielschaltungen:
http://www.trifolium.de/netzteil/kap8.html
Da würde z.B. ein IRF3808 im TO220-Gehäuse mit Uds 75V und Rdson 0,007 Ohm bei 20 A gerade mal 0,014 V verlieren. Wenn du den genügend schnell schaltest, sollte er sich nicht wesentlich aufheizen.

» Du meinst das liegt nur an den IGBT?

IGBTs bei diesen Spannungen sind meistens uneffektiv weil zu langsam und zu hoher Spannungsverlust.
Die nimmt man eher bei Anwendungen mit Netzspannung.

» Okay, mag sein dass du recht hast. Ich werde mir morgen mal bessere
» MOSFETs besorgen und das nochmal probieren.
» Aber: beim Trafo ist mir auch nicht ganz wohl.
» In jedem Buch, wo ich mir das Thema anschaue, stehen andere Formeln drin
» zur Berechnung der Windungszahl. Wie macht man es denn RICHTIG? Das kann
» einem irgendwie keiner sagen. Oder vielleicht doch, jemand von hier?

Einfache Merkregel für Gegentaktwandler mit 100% ED:
Kernquerschnitt in mm² X max. Flußdichte (z.B. 0,3T) ergibt max. magn Fluß in µVs. Die so erhaltene Zahl ergibt die Umlaufspannung (V/Wdg) bei 250 kHz.
Beispiel:
A = 200 mm² Bmax = 0,2T ergibt max Fluß 40 µVs. Bei 250 kHz werden max. 40V pro Windung induziert. Bei 25 kHz wären es nur 4V/Wdg.

Jörg