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Schottky vs. Fast Recovery Diode (Elektronik)

verfasst von J.R. , 22.04.2009, 13:10 Uhr

» ...und der Nachteil in den höheren Sperrströmen.
» Wobei ich allerdings noch kein Beispiel mit
» modernen Dioden durchgerechnet habe. Vielleicht
» können die Simulationsprogramme heutzutage sowas
» ja nebenbei erledigen.

Auch das scheint nicht mehr Stand der Technik zu sein. Unabhängig davon, was Datenblätter oder Simulationen sagen, habe ich mal die Probe aufs Exempel gemacht und zwei hier "herumliegende" vergleichbare Doppeldioden bei 180 V Sperrspannung und Zimmertemperatur gemessen (beide internen Dioden parallel):

1. BYV32E200 Ultrafast Diode 20A 200V --> Ir ~ 3 µA
2. MBR20200 Schottky-Diode 20A 200V --> Ir ~ 0,2 µA

Der Sperrstom einer modernen Schottky-Diode kann also sogar deutlich geringer sein als der einer normalen Siliziumdiode.

Jörg

Gesamter Thread:

Schottky vs. Fast Recovery Diode - charly, 20.04.2009, 15:30 (Elektronik)

Schottky vs. Fast Recovery Diode - x y, 20.04.2009, 15:36

Schottky vs. Fast Recovery Diode - charly, 20.04.2009, 15:54

Schottky vs. Fast Recovery Diode - x y, 20.04.2009, 16:30

Schottky vs. Fast Recovery Diode - charly, 20.04.2009, 16:37

Schottky vs. Fast Recovery Diode - Harald Wilhelms, 20.04.2009, 21:11

Schottky vs. Fast Recovery Diode - J.R., 21.04.2009, 23:10

Schottky vs. Fast Recovery Diode - Harald Wilhelms, 22.04.2009, 09:01

Schottky vs. Fast Recovery Diode - J.R., 22.04.2009, 13:10

Schottky vs. Fast Recovery Diode - x y, 22.04.2009, 13:26

Schottky vs. Fast Recovery Diode - J.R., 22.04.2009, 14:44

Schottky vs. Fast Recovery Diode - x y, 22.04.2009, 15:44