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Board-AnsichtRaumladungszone beim bipolaren NPN-Transistor (Elektronik)
verfasst von Elektronix
, 17.06.2008, 20:12 Uhr
» Hallo!
» Danke für die Antwort. Naja ich muss gesetehen, dass ich das für ein
» Fachgespräch in einem FH Praktikum brauche.
» Unser Professor sagte, dass der Transistor in Sättigung betrieben wird,
» wenn beide Raumladungszonen soweit es geht abgebaut sind.
Das stimmt schon, dann ist der Transistor voll durchgeschaltet.
» Dann wollte er von mir wissen, warum der Widerstand der Raumladungszone
» zwischen Basis und Collector bevor diese abgebaut ist unendlich ist und
» wieso der Widerstand 0 wird wenn die Raumladungszone abgebaut ist.
» Ich habe versucht, damit zu argumentieren, dass der Widerstand der RLZ
» hochohmig ist, weil dort keine frei beweglichen Ladungsträger zum
» Transport zur Verfügung stehen.
Richtig.
» Und das der Widerstand gegen 0 geht wenn die RLZ abgebaut wird weil die
» Elektronen ja dort hinein diffundieren und dann wieder zum
» Ladungstransport zur Verfügung stehen aber das hat ihm wohl nicht
» gereicht.
Richtig. Die Frage ist aber auch, warum aus der Dotierungszone des Collektors keine Ladungsträger dort hineindifundieren.
» Er hat mich gefragt wie der Widerstand definiert ist aber da wusste ich
» dann auch nicht weiter, bis auf mit dem spezifischen Widerstand mal der
» länge durch die Fläche...
R=U/I.
--
Und die Grundgebihr is aa scho drin. DOS is jo nett..
Gesamter Thread:
, 17.06.2008, 16:51, 17.06.2008, 20:12