Forum
Board-AnsichtRaumladungszone beim bipolaren NPN-Transistor (Elektronik)
Hallo!
Danke für die Antwort. Naja ich muss gesetehen, dass ich das für ein Fachgespräch in einem FH Praktikum brauche.
Unser Professor sagte, dass der Transistor in Sättigung betrieben wird, wenn beide Raumladungszonen soweit es geht abgebaut sind.
Dann wollte er von mir wissen, warum der Widerstand der Raumladungszone zwischen Basis und Collector bevor diese abgebaut ist unendlich ist und wieso der Widerstand 0 wird wenn die Raumladungszone abgebaut ist.
Ich habe versucht, damit zu argumentieren, dass der Widerstand der RLZ hochohmig ist, weil dort keine frei beweglichen Ladungsträger zum Transport zur Verfügung stehen.
Und das der Widerstand gegen 0 geht wenn die RLZ abgebaut wird weil die Elektronen ja dort hinein diffundieren und dann wieder zum Ladungstransport zur Verfügung stehen aber das hat ihm wohl nicht gereicht.
Er hat mich gefragt wie der Widerstand definiert ist aber da wusste ich dann auch nicht weiter, bis auf mit dem spezifischen Widerstand mal der länge durch die Fläche...
Vielleicht war es dumm von mir hier nachzufragen(das soll kein Angriff sein) weil aussenstehende ja schlecht feststellen können was der Prof eigentlich von mir wissen will.
Besten Gruß,
Horst
Gesamter Thread:
, 17.06.2008, 16:51, 17.06.2008, 20:12