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Raumladungszone beim bipolaren NPN-Transistor (Elektronik)

verfasst von Horst, 17.06.2008, 16:31 Uhr

Hallo!
Ich habe eine Frage zum bipolaren NPN Transistor.
Und zwar bilden sich ja 2 Raumladunszonen aus die frei von Majoritätsladungsträgern sind, also hochohmig.
Legt man eine Spannung an verschwindet die RLZ zwischen Emitter und Basis fast ganz, die RLZ zwischen Basis und Collector verschwindet vollständig, also geht der Widerstand gegen 0 und der Transistor wird in Sättigung betrieben.
Wird Ucb = Uce?
Zur eigentlichen Frage:
Warum wird der Widerstand bzw die Raumladungszone zwischen Basis und Collector 0?
R ist ja gegeben durch den spezifischen Widerstand mal länge des Leiters durch die Querschnittsfläche.
Jetzt meine ich gehört zu haben, dass mit steigender Anzahl der Elektronen - die ja von der Basis in die Raumladungszone zwischen Basis und Collector eindringen - der spezifische Widerstand kleiner wird. Aber irgendwie fehlt mir da die Formel bzw der Zusammenhang. Habe grad ein bisschen gegoogelt aber nichts befriedigendes gefunden und dachte vielleicht kann mir hier jemand weiterhelfen :)
besten Dank schonmal und Gruß,
Horst

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Raumladungszone beim bipolaren NPN-Transistor - Horst, 17.06.2008, 16:31 (Elektronik)