Forum
Board-AnsichtBerechnung einer Schaltstufe mit NPN-Bipolartransistor (Elektronik)
verfasst von Kendiman 
, 15.05.2008, 20:32 Uhr
Hallo,
zum einwandfreien Schalten eines Transistors muss der Basisstrom 5 bis 10 mal größer sein als der einfache Basisstrom.
Beispiel: Über R3 fließt ein Kollektorstrom von 10 mA. Die Stromverstärkung B ist 100. B=Ic/Ib . Für Schaltvorgänge ist Ib mindestens mal 5 zu nehmen. Daraus errechnet sich:
Ib= Ic/5mal B. Es wird also ein Basisstrom von 0,5 mA benötigt. Die Widerstände R1 und R2 berechnen sich R1+R2=(5V-0,7V)/0,5mA = R1+R2= 8600 Ohm.
Ist der Kondensator C auf 0,7 Volt aufgeladen. Dann hat der Transistor geschaltet. Das wird bei 8600 Ohm sehr schnell gehen, wenn der Kondensator nicht allzu groß ist ( Zeitkonstante- Aufladung eines Kondensators auf 0,7V). Schließt der Schalter S, so wird der Kondensator über den Widerstand R2 entladen und der Kondensator sperrt, weil die Basisspannung unter 0,7 Volt sinkt.
Der Widerstand R2 darf nicht zu groß sein. Das ist abhängig vom Strom Icb ( Leckstrom zwischen Kollektor und Basis). Bei den neuen und guten Transistoren ist der Leckstrom so niedrig, dass keine Gefahr besteht.
Beispiel: Beträgt der Leckstrom 1 mikro Ampere und der Widerstand R2=4700 Ohm, so wird sich der Kondensator C bis auf 4,7 mV entladen ( U=1uA * 4700 Ohm). Das ist weit unter 0,7 V . Er wird mit Sicherheit sperren. Mich irritiert der Kondensator. Man erreicht kaum eine größere Schaltverzögerung. Ein schnelles Schalten ist aber nun nicht möglich.
Außer man will damit die EMV erhöhen . Der Kondensator kann hochfrequente Einstrahlungen unterdrücken und damit ein ungewolltes Schalten verhindern.
Gruß Kendiman
Habe gerade gesehen, daß nicht alles übergekommen ist.
Gesamter Thread:
, 15.05.2008, 16:01, 15.05.2008, 16:20, 16.05.2008, 00:06