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Fragen zum IRF3205 (Bauelemente)

verfasst von geralds , Wien, AT, 17.04.2008, 23:23 Uhr

» Ganz lieben Dank geralds!
»
» » "Da ist von IRF ein 110A chip in ein 75A gehäuse eingebaut worden."
» Da wäre ich ja nie drauf gekommen. :surprised:
»
» » Musst dann vielleicht 2 od 3 Transis parallel schalten
» Werde es mal mit 4 Stück parallel probieren, montiert auf einem
» Hohlrippen-Lüfteraggregat mit 0.3K/W.
»
» » MOSFET parallel geht meistens, Bipolarer geht nicht direkt.
» Wie sieht es eigentlich mit Fertigungstoleranzen bei Mos-Fets aus? Wenn
» einer der Transis toleranzbedingt eher durchschaltet oder aber später
» sperrt, würde (kurzzeitig) ein hoher Strom durch den Transi fliessen.
»
» » Den kann man nicht einfach "schnellladen".
» Das ist i.m.o. nicht mehr der aktuelle wissenschaftliche Stand. Man kann
» ihn zwar nicht in dem Ausmass Schnellladen wie einen NC-Akku aber mit
» Pulsstrom immerhin etwas schneller. Ein mit Pulsstrom geladener Bleiakku
» macht auch mehr Zyklen. (Vgl. Dissertation
» http://vts.uni-ulm.de/docs/2001/621/vts_621.pdf)
»
» Gruss
» Consuli

--
hallo consuli

Da haben sich jetzt die ereignisse überschlagen....

hab kurz vorher eine kleine korrektur meines beitrags gemacht:
I_D_max(T=25°C, V_GS=10V) = 110A
max Drainstrom bei 25°C Tj-> SPERRSCHICHTTEMPARATUR des Transi-chips (also im "kalten" Zustand), wenn an die Gate-Source 10V angelegt ist.
Hier entspricht die Sperrschichttemp der Umgebungstemp.

Hab im Dattenblatt zu schnell gelesen, sorry mein Fehler..
also lese bitte nochmals die nachlese.

PS: wollte gerade das von gelinkte pdf öffnen. ich komme nicht hin. habe web-error 404..

gerald