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Board-Ansichtsoll wohl Impulsspitzen an L1 erzeugen ... (Elektronik)
verfasst von hws
, 59425 Unna, 26.03.2008, 16:49 Uhr
» Jaja, und? Aber wenn ich mir die Erwärmung als Reibung zwischen den
» Elementarteilchen im Halbleiter vorstelle...
Dann stell es dir nicht vor 
Zu jedem Zeitpunkt liegt am Transistor eine Spannung und es fließt ein Strom (wobei eines oder beide auch Null sein können)
Im Idealfall schaltet der Transistor 100%.
Also Strom fließt, die anliegende Spannung = null, also Leistung auch null.
Transistor sperrt, Spannung liegt am Transistor, aber der Strom ist null. Also auch Leistung = null.
nur gibts diese beiden Fälle nicht. Wegen Ladungsverschiebungen beim Sperren (und anderen Einflüssen) gibts bei jeder Schaltflanke Verluste. Und die können ordentlich sein. Und bei höherer Schaltfreuenz kommen die häufiger, Verlustleistung steigt.
» ...ok, mit P = I^2 * R gebe ich mich zufrieden...
» (nein, das ist nicht das Gleiche 
)
Da gehts um den Spannungsabfall an einem Leiter und die dadurch verursachte Verlustleistung.
Wir haben es aber beim Transistor nicht mit einem einfachen Draht zu tun, sondern ein Halbleiter. Da kann ein Strom fließen, ohne dass die Spannung (nahezu) Null wird.
» Was kann ich denn machen, ...
Kann ich per Ferndiagnose nicht sagen. wie soll ich das feststellen, ohne dran zu messen, die Schaltung (und Verlauf der Verdrahtung) selbst anzusehen?
hws
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