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Board-AnsichtFET (Elektronik)
verfasst von erikl
, Prien, 21.01.2008, 13:46 Uhr
» Es geht darum, dass ich gerne folgende CMOS-Gatter, in denen nicht
» unbedingt Source und Bulk verbunden sind, verstehen würde.
»
» http://www.elektronik-kompendium.de/forum/upload/20080118224837.bmp
Bei solchen CMOS-Gattern nennt man den "Bulk"-Anschluss der n-Kanal-Transistoren "Substrat" (d.i. das p-dotierte Silizium-Grundmaterial), und den "Bulk"-Anschluss der p-Kanal-Transistoren "n-well" bzw. "n-Wanne". Der Substrat-Anschluss liegt in diesem Fall immer auf der negativsten Spannung (wie x y bereits berichtete), der n-Wannen-Anschluss auf dem positivsten Potential - wie auch bei allen Transistoren der Gatter in Deinem o.a. Bild.
Es gibt Schaltungen, bei denen die Bulk-Anschlüsse einiger Transistoren *nicht* auf dem niedrigsten bzw. höchsten Potential liegen; solche Transistoren müssen (in ICs) in eigenen isolierten "Wannen" untergebracht werden. Bei solchen Transistoren wird die zusätzliche Steuermöglichkeit über das "Bulk" - der so genannte "Body Effekt" - ausgenützt.
Eine sehr schöne interaktive Darstellung dieser Steuerungsmöglichkeiten ist zu finden unter
http://olli.informatik.uni-oldenburg.de/weTEiS/weteis/transistor1.htm
... und speziell der Body-Effekt unter
http://olli.informatik.uni-oldenburg.de/weTEiS/weteis/transistor3.htm
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Gruß, erikl
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