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FET (Elektronik)

verfasst von Franz E-Mail, 18.01.2008, 22:17 Uhr

» Wenn er bei Lateral-MOSFETs separat herausgeführt ist muss er (bei
» n-Kanal) stets das niedrigste Potential haben, sonst beginnt die
» zwangsläufig vorhandene Diode zu leiten.
Welche Diode? Es gibt sowohl zum Source- als auch zum Drain-Anschluss einen pn-Übergang. Kommt das dann nicht einem npn-Transistor gleich? Kann man dadurch auch den Widerstand zwischen S und D steuern?

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FET - Franz, 18.01.2008, 21:57 (Elektronik)
FET - x y, 18.01.2008, 22:10
FET - Franz, 18.01.2008, 22:17
FET - Franz, 18.01.2008, 22:48
FET - x y, 19.01.2008, 00:22
FET - erikl(R), 21.01.2008, 13:46
FET - Franz, 21.01.2008, 15:25