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Board-AnsichtSecond Breakdown bei Bipolar-Transistoren (Elektronik)
verfasst von erikl
, Prien, 15.01.2008, 16:58 Uhr
(editiert von erikl am 15.01.2008 um 17:28)
» » Den schnellen Second-Breakdown-Mechanismus
» » von Bipolar-Transistoren kann man z.B. dazu ausnützen, Nanosekunden-Impulse
» » mit Sub-Nanosekunden-Anstiegszeit zu erzeugen, z.B. für
» Laser-Anwendungen.
»
» Wie funktioniert das, falls man es in wenig Worten zum Ausdruck bringen
» kann? Das hat vermutlich kaum etwas mit Temeperatureffekten zu tun, oder
» vielleicht doch bei ultrakleinen Dimensionen?
»
» Gruss
» Thomas 
@ OP: das ist etwas off-Thema, sorry!
@ Thomas:
Nein, wir haben nur den extrem schnellen Second-Breakdown-Mechanismus von Si-Planartransistoren ausgenützt: Energiespeicher-Kondensator wird rel. langsam auf eine Spannung in Richtung oberhalb der Uce0-Durchbruchspannung aufgeladen. Beim Erreichen bricht der Transistor (B-E kurzgeschlossen) durch - erst über Uce0, geht dann aber sofort in den Second-Breakdown, der Kondensator entlädt sich über ihn. Dieser Impuls wird kapazitiv auf eine einigermaßen angepasste Leitung ausgekoppelt - wir verwendeten doppelt-Kupfer-kaschiertes PCB geigneter Breite (für die Widerstandsanpassung) und Länge (für die gewünschte Impulslänge, ca. 10 cm/ns); Transistor, Auskoppelkondensator und Laserdiode direkt daran gelötet.
Bei guter Widerstandsanpassung (Transistor-Breakdown, Leitung und Diode, Größenordnung einige Ohm) erhält man damit schöne rechteckige ns-Impulse (wir bekamen bei ca. 7cm*30cm PCB etwa 3ns lange Impulse mit einer Anstiegs- und (nahezu) auch Abfallzeit von 350ps - aber das war die des Oszis 
). Die schnelle Abfallzeit bekommt man natürlich nur bei guter Anpassung Leitung - Diode. Die Wiederholfrequenz war nur im unteren kHz-Bereich, das hat der TO3-Transistor ausgehalten. Und die Laserdiode auch! 
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Gruß, erikl
Gesamter Thread:
, 14.01.2008, 23:14, 15.01.2008, 13:27, 15.01.2008, 16:58, 15.01.2008, 17:26