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Second Breakdown bei Bipolar-Transistoren (Elektronik)

verfasst von Thomas Schaerer  , 15.01.2008, 13:34 Uhr

» » Im Gegensatz zum bipolaren Transistor hat der FET keinen
» Second-Breakdown,
» » der sich in einem zweiten Knick im Diagramm auswirkt. Hier ist der FET
» klar
» » im Vorteil.
»
» Kommt auf die Applikation an: Den schnellen Second-Breakdown-Mechanismus
» von
» Bipolar-Transistoren kann man z.B. dazu ausnützen, Nanosekunden-Impulse
» mit Sub-Nanosekunden-Anstiegszeit zu erzeugen, z.B. für Laser-Anwendungen.

Wie funktioniert das, falls man es in wenig Worten zum Ausdruck bringen kann? Das hat vermutlich kaum etwas mit Temeperatureffekten zu tun, oder vielleicht doch bei ultrakleinen Dimensionen?

Gruss
Thomas

Gesamter Thread:

Breakdown Voltage bei PowerMosFet - felix, 14.01.2008, 21:47 (Elektronik)

Breakdown Voltage bei PowerMosFet - erikl, 14.01.2008, 23:14

Breakdown Voltage bei PowerMosFet - felix, 15.01.2008, 08:45

SAFE-OPERATING-AREA (Breakdown Voltage bei PowerMosFet) - Thomas Schaerer, 15.01.2008, 13:13

Second Breakdown bei Bipolar-Transistoren - erikl, 15.01.2008, 13:27

Second Breakdown bei Bipolar-Transistoren - Thomas Schaerer, 15.01.2008, 13:34

Second Breakdown bei Bipolar-Transistoren - erikl, 15.01.2008, 16:58

Second Breakdown bei Bipolar-Transistoren - Thomas Schaerer, 15.01.2008, 17:16

... Elektronik beherrsche - erikl, 15.01.2008, 17:26