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Second Breakdown bei Bipolar-Transistoren (Elektronik)

verfasst von erikl , Prien, 15.01.2008, 13:27 Uhr

» Im Gegensatz zum bipolaren Transistor hat der FET keinen Second-Breakdown,
» der sich in einem zweiten Knick im Diagramm auswirkt. Hier ist der FET klar
» im Vorteil.

Kommt auf die Applikation an: Den schnellen Second-Breakdown-Mechanismus von
Bipolar-Transistoren kann man z.B. dazu ausnützen, Nanosekunden-Impulse mit Sub-Nanosekunden-Anstiegszeit zu erzeugen, z.B. für Laser-Anwendungen.

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Gruß, erikl

Gesamter Thread:

Breakdown Voltage bei PowerMosFet - felix, 14.01.2008, 21:47 (Elektronik)

Breakdown Voltage bei PowerMosFet - erikl, 14.01.2008, 23:14

Breakdown Voltage bei PowerMosFet - felix, 15.01.2008, 08:45

SAFE-OPERATING-AREA (Breakdown Voltage bei PowerMosFet) - Thomas Schaerer, 15.01.2008, 13:13

Second Breakdown bei Bipolar-Transistoren - erikl, 15.01.2008, 13:27

Second Breakdown bei Bipolar-Transistoren - Thomas Schaerer, 15.01.2008, 13:34

Second Breakdown bei Bipolar-Transistoren - erikl, 15.01.2008, 16:58

Second Breakdown bei Bipolar-Transistoren - Thomas Schaerer, 15.01.2008, 17:16

... Elektronik beherrsche - erikl, 15.01.2008, 17:26