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FET & MOSFET (Elektronik)

verfasst von Herby, 11.09.2007, 12:52 Uhr

» Hallo, da bin ich mal wieder
»
» und weil ich nächste Woche eine klitzekleine Klausur schreiben muss,
» fallen mir so nach und nach ein paar Fragen ein:
»
» Teil I
»
»
» Aufg. 1: Mit Zunahme der Temperatur nimmt der Drainstrom ab. Wie lässt
» sich das erklären und anhand welcher Gleichungen bzw. Formeln?
»
» Vielleicht über die Beweglichkeit???
»
» Aber warum nimmt diese dann ab. Liegt das daran, dass sich im Kanal immer
» mehr Ladungsträger tummeln? Eigentlich nimmt aber doch die Kanalfläche
» auch zu, durch Vergrößerung der Spannung ---> Vergrößerung
» Inversionskanal????
»
»
» Aufg. 2. Unterschied zwischen einem selbstleitenden und selbstsperrenden
» FET?
»
» Der selbstleitende FET besitzt bereits im spannungslosen Zustand einen
» Übertragungskanal für Ladungsträger zwischen Source und Drain. Bei einem
» selbstsperrenden FET wird erst für ein entsprechender Inversionskanal
» gebildet.
»

edit: die Aufgabe 3 hat sich erledigt, steht doch im Skript - wer lesen kann ...

» Aufg. 3. In welchem Teilbereich des Durchlassbereiches verhält sich der
» MOS-FET wie ein ohmscher Widerstand? Geben Sie die Gleichung für den
» Widerstand an.
»
» Da hab’ ich nix in meinem Skript gefunden. Der Bereich selbst müsste der
» Triodenbereich sein, da es hier noch zu keiner Kanalabschnürung kommt.
» Aber weiter komme ich nicht....


lg
Herby

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