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Board-AnsichtFET & MOSFET (Elektronik)
verfasst von Herby
, 10.09.2007, 21:27 Uhr
Hallo, da bin ich mal wieder 
und weil ich nächste Woche eine klitzekleine Klausur schreiben muss, fallen mir so nach und nach ein paar Fragen ein:
Teil I
Aufg. 1: Mit Zunahme der Temperatur nimmt der Drainstrom ab. Wie lässt sich das erklären und anhand welcher Gleichungen bzw. Formeln?
Vielleicht über die Beweglichkeit???
Aber warum nimmt diese dann ab. Liegt das daran, dass sich im Kanal immer mehr Ladungsträger tummeln? Eigentlich nimmt aber doch die Kanalfläche auch zu, durch Vergrößerung der Spannung ---> Vergrößerung Inversionskanal????
Aufg. 2. Unterschied zwischen einem selbstleitenden und selbstsperrenden FET?
Der selbstleitende FET besitzt bereits im spannungslosen Zustand einen Übertragungskanal für Ladungsträger zwischen Source und Drain. Bei einem selbstsperrenden FET wird erst für ein entsprechender Inversionskanal gebildet.
Aufg. 3. In welchem Teilbereich des Durchlassbereiches verhält sich der MOS-FET wie ein ohmscher Widerstand? Geben Sie die Gleichung für den Widerstand an.
Da hab’ ich nix in meinem Skript gefunden. Der Bereich selbst müsste der Triodenbereich sein, da es hier noch zu keiner Kanalabschnürung kommt. Aber weiter komme ich nicht....
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eigentlich kommt noch die Aufgabe 4 - aber ich weiß gar nicht, ob ihr einen Formeleditor habt??? Und ohne ist das wahrscheinlich unübersichtlich. Aber wenn ihr mir bei 1 - 3 schon mal ein paar Informationen geben könntet, dann wäre das schon super.
Liebe Grüße
Herby
P.S.: Habe diese Fragen (incl. Aufg.4) auch schon unter:
http://www.matheraum.de/read?i=296342
gestellt 
Gesamter Thread:
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