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MOSFET (Elektronik)

verfasst von matzi682015 , Aachen, 18.12.2025, 14:55 Uhr

» Hallo zusammen,
»
» ich plane gerade ein kleines Hochvolt-Projekt und überlege, den STW11NM80
» (this one: https://www.kasuo.com/product/stw11nm80-datasheet-price-pdf/).
» Laut Datenblatt ist es ein 800-V N-Kanal MOSFET, ausgelegt für bis zu 11 A
» und mit einem recht niedrigen RDS(on). Er wird oft in Schaltnetzteilen,
» Flyback-Wandlern und allgemein Hochvolt-Schaltungen eingesetzt. Mein
» Einsatzfall wäre ein einfacher Leistungs-Schalter in einem Netzteil, mit
» Eingangsspannungen um 300–400 V DC. Die Werte im Datenblatt passen gut,
» aber ein paar Punkte sind mir noch unklar:
»
» Ich bin unsicher, wie ich die Gate-Ansteuerung optimal löse, damit der
» MOSFET sauber durchschaltet. Auch bei der Kühlung frage ich mich, ob ein
» normaler Kühlkörper reicht oder ob ich größere Kupferflächen einplanen
» sollte. Und wie empfindlich ist er bei Schaltspitzen? Muss ich zwingend
» Snubber oder Gate-Schutzdioden einbauen?
»
» Falls jemand den STW11NM80 schon in Hochvolt-Netzteilen oder Flybacks
» genutzt hat, würde mich eure praktische Erfahrung interessieren. Wie
» verhält er sich thermisch und beim schnellen Schalten?
»
» Danke schon mal für jede Rückmeldung!

Es gibt verschiedene Treiber-ICs für MOSFETs und IGBTs, z.B. den IR 2110. Ist zwar mehr Aufwand, aber man hat eine definierte und relativ einfache und adäquate Ansteuerung.

https://www.alldatasheetde.com/datasheet-pdf/pdf/1238026/INFINEON/IR2110.html

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Matthes

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