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MOSFET (Elektronik)
» ausgelegt für bis zu 11 A
» und mit einem recht niedrigen RDS(on).
Ist alles relativ
0,38Ohm hört sich erst mal wenig an, bedeutet beim Nennstrom von 11A aber 4,2V Spannungsfall und damit 46W Verlustleistung.
IGBTs haben einen viel geringeren Spannungsfall auf der CE-Strecke und damit fallen auch nicht so große Verlustleistungen an.
» Ich bin unsicher, wie ich die Gate-Ansteuerung optimal löse, damit der
» MOSFET sauber durchschaltet.
Bei einem statischen Schalter eigentlich nicht nötig, aber ein schneller Gate-Treiber schadet auch hier nicht.
» normaler Kühlkörper reicht oder ob ich größere Kupferflächen
Was soll ein "normaler" Kühlkörper sein?
» Und wie empfindlich ist er bei Schaltspitzen? Muss ich zwingend
» Snubber oder Gate-Schutzdioden einbauen?
Über deine konkrete Anwendung wissen wir ja noch nichts...
» verhält er sich thermisch und beim schnellen Schalten?
Jetzt willst du doch schnell schalten?
Wie schnell?
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