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Fototransistor in Emitterschaltung bei Gabellichtschranke (Elektronik)

verfasst von olit(R) E-Mail, Berlin, 29.04.2017, 20:58 Uhr
(editiert von olit am 29.04.2017 um 21:06)

» Nicht die Kollektor-Basis Schicht, sondern die Basis-Emitterschicht
» ist dem Licht zugänglich.
» Die Basis-Emitterdiode ist lichtempfindlich.
» Damit ändert sich der Basis-Emitterstom und damit auch die Kollektorstrom.
Hier darf ich dir einmal widersprechen.
Eine Fotodiode erzeugt bei Lichteinfall ein positives Potential an der Anode.
Das Licht welches auf den Emitter eines NPN Transistors fällt, würde ihn weiterhin sperren.

Fällt das Licht auf den Kollektor, erzeugt die Kollektor-Basisdiode ein positives Potential an der Basis. Es fließt ein Basisstrom. Dank der Transistoreigenschaften wird Dieser auch noch mit dem ß-Wert verstärkt.


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Fototransistor in Emitterschaltung bei Gabellichtschranke - Gast K., 29.04.2017, 14:53 (Elektronik)
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