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Schutz im Schaltbetrieb manchmal nötig... (Elektronik)

verfasst von schaerer(R)  E-Mail, Kanton Zürich (Schweiz), 07.11.2016, 08:04 Uhr

Hallo Hartwig,

» Wobei ich davon ausgehe, dass auch im Normalbetrieb des Transistors - also mit
» Kollektorspannung - die E-B Strecke durchbricht. Das könnte passieren, wenn
» die Basis eine hohe negative Vorspannung erhält, also z.B. Emitter an Masse
» und Basis an -12V, das ergäbe dann eine Ueb von 11,3 V und würde somit zum
» Durchbruch führen.
Beispiel mit einem NPN-Transistor:

Es gibt auch die Situation, dass die Basis eines NPN-BJT mit einem steilflankigen Impuls angesteuert wird. Wenn dieser beim Einschwingvorgang (nicht optimale Impedanzanpassung) negative Werte zum Emitter (auf GND) annimmt, empfiehlt sich eine schnelle Schottky-Diode parallel zu Emitter und Basis des BJT, wobei die Kathode an der Basis liegen muss. Auf diese Weise wird verhindert, dass zwischen Basis und Emitter eine kurzzeitige negative Spannung von mehr als -4 bis etwa -5 V anliegt.

--
Gruss
Thomas

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