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Analoges vs. digitales Rauschen... (Elektronik)
» » Hallo Thomas,
» » ich werde da auch mal dran bleiben. Auch bei mir wird es nicht so
» schnell
» » gehen!
» » Viele Grüße
» » Hartwig
»
» Huhu Hartwig,
Hallo Matthes,
»
» ich kräätsche mich da jetzt einfach rein Wenn die Diode in Sperrichtung
» betrieben wird, an einer Spannung>Durchbruchsspannung, und dann rauschen
» entsteht, warum hat sie in der Durchlassrichtung kein Rauschen, das schon
» bei 0,7V einsetzen würde?? ... Oder rauscht sie da auch, nur
» halt leiser?
Na ja, rauschen wird sie schon auch irgendwie.... Aber: Der Durchbruch kommt durch den Avalanche-Effekt zustande, und der ist auch für das Rauschen verantwortlich. Aber in Durchlaßrichtung tritt der nicht auf!
»
» Und eine andere Frage nochmal, bitte: Ich habe gelesen, dass U(BEO) im
» Datenblatt einen Spannungsabfall zwischen (+) an B und (-) an E, offener
» Kollektor, bedeutet. Wieso hat die BE-Diode 6V Spannungsabfall bei offenem
» Kollektor, aber nur 0,7V bei auf (+) beschaltetem Kollektor (also beim NPN
» jetzt) ? (Und klar nicht direkt auf (+), sondern ein Widerstand nach (+))
Also, natürlich beeinflußt der Kollektor die BE-Diode auch. Aber ich glaube, das ist hier ein Mißverständnis:
Ube sind 0,7V etwa, also die BE-Diode in Durchlaßrichtung betrieben. Ueb ist der Betrieb der gleichen Diode in Sperrichtung, und da erfolgt eben der Durchbruch bei >5V. in Beiden Fällen bei offenem Kollektor. Wobei ich davon ausgehe, dass auch im Normalbetrieb des Transistors - also mit Kollektorspannung - die E-B Strecke durchbricht. Das könnte passieren, wenn die Basis eine hohe negative Vorspannung erhält, also z.B. Emitter an Masse und Basis an -12V, das ergäbe dann eine Ueb von 11,3 V und würde somit zum Durchbruch führen.
Grüße
Hartwig
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