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-Verständnis (Elektronik)
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» » Denkst Du, dass er mit "TTL-kompatible MOSFETs" meint, dass eine
» » TTL-Highpegel-Ausgangsspannung am Gate eines (bestimmten) MOSFET diesen
» » sättigt und so zum Schalten eignet?
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» Genau das habe ich zum Ausdruck bringen wollen.
Aber so einfach ist es nicht! Die Threshold-Spannung Gibt an, wann die Drain-Sourse Strecke zu Leiten beginnt. Um Ihn als Schalter ganz durchzusteuern muss die Gatespannung weiter erhöht werden!
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» » Es gibt noch dies: Hoch- und Höchstleistung-MOSFETs sind deutlich
» weniger
» » gefährdet weil diese eine oft und leider sehr hohe Gate-Source- und
» » Gate-Drain-Kapazität haben. Das sind leicht mal 10 nF.
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» Das wollte ich wissen, hatte ich auch schon vermutet. Daraus würde ich
» jetzt die Schlussfolgerung ableiten: Lieber den FET eine Nummer größer
» nehmen, dann ist die Gefahr des Gate-Durchbruchs kleiner.
Das ist Unfug. Denn du musst dann bei jedem Umschaltvorgang die Gate-Kapazität umladen.
Bei leistungsstärkeren Feldeffekttransistoren ist dazu oft eine spezielle Treiberstufe erforderlich.
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» Wenn ich messe N-E-MOS , dann ist die Welt erst mal in Ordnung. Der
» Transistor funktioniert.
» Jetzt wollte ich aber noch wissen, ob ich aus der gemessenen Kapazität
» ableiten kann, ob der Transistor voll funktioniert oder eventuell irgendwie
» Schaden genommen hat. Ich glaube, dass da auch kein Zusammenhang besteht.
Um so größer die Gate-Kapazität um so mehr Aufwand erfordert die Ansteuerung.
» z.B.
» nehmen wir mal einen etwas größeren im To220C-Gehäuse, den 7N60, da steht
» im Datenblatt:
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» Da messe ich 2,7nF
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» zum Vergleich der BS170 im TO92. Da steht im Datenblatt:
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» Da messe ich 68pF
Dein Messgerät misst die Eingangskapazität (Gate-Kapazität)
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» Also so wie Thomas erklärt hat bezüglich der Größe des FET. Aber ich frage
» mich, ob ich aus demm Messergebnis irgendwas ableiten kann.
Die 68pF sind kein Problem
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