Forum
-Verständnis (Elektronik)
»
» Denkst Du, dass er mit "TTL-kompatible MOSFETs" meint, dass eine
» TTL-Highpegel-Ausgangsspannung am Gate eines (bestimmten) MOSFET diesen
» sättigt und so zum Schalten eignet?
»
Genau das habe ich zum Ausdruck bringen wollen.
»
» » Was ich aber dem rudi4 noch sagen will, ist: Der Feldeffettransistor
» geht
» » nicht wegen seiner geringen Thresholdspannung kaputt. Er stirbt den Tot
» » durch Statische Aufladungen wegen der sehr, sehr hochohmigen Isolierung
» des
» » Gates! So kann diese Aufladung nicht abgebaut werden. Oder nur dann,
» wenn
» » diese Gate-Isolierung durchbrochen wird.
»
Hatte ich fälschlich vermutet. Jetzt bin ich schlauer. Es gibt also keinen Zusammenhang zwischen VGS(th) und Empfindlichkeit bezüglich statischen Ladungen.
» Es gibt noch dies: Hoch- und Höchstleistung-MOSFETs sind deutlich weniger
» gefährdet weil diese eine oft und leider sehr hohe Gate-Source- und
» Gate-Drain-Kapazität haben. Das sind leicht mal 10 nF.
Das wollte ich wissen, hatte ich auch schon vermutet. Daraus würde ich jetzt die Schlussfolgerung ableiten: Lieber den FET eine Nummer größer nehmen, dann ist die Gefahr des Gate-Durchbruchs kleiner.
Wenn ich messe N-E-MOS , dann ist die Welt erst mal in Ordnung. Der Transistor funktioniert.
Jetzt wollte ich aber noch wissen, ob ich aus der gemessenen Kapazität ableiten kann, ob der Transistor voll funktioniert oder eventuell irgendwie Schaden genommen hat. Ich glaube, dass da auch kein Zusammenhang besteht. z.B.
nehmen wir mal einen etwas größeren im To220C-Gehäuse, den 7N60, da steht im Datenblatt:
Da messe ich 2,7nF
zum Vergleich der BS170 im TO92. Da steht im Datenblatt:
Da messe ich 68pF
Also so wie Thomas erklärt hat bezüglich der Größe des FET. Aber ich frage mich, ob ich aus demm Messergebnis irgendwas ableiten kann.
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Gruß
Rudi, der oszilose Lochrasterbastler
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