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Herstellungstechnologie? (Elektronik)
» » http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/16636/PHILIPS/BS170.html
»
» Verstehe ich nicht!
»
» Ich schaue in ein richtiges Datenblatt.
» https://www.fairchildsemi.com/datasheets/BS/BS170.pdf
Dein Transistorprüfgerät zeigt die Abkürzung für „depletion” und, oder „enhancement”
Es gibt also offiziell nicht die Unterscheidung zwischen E-MOS und D-MOS.
Sondern nur „depletion” und „enhancement”
Und DMOS steht für das Produktionsverfahren.
Aus Wikipedia
Varianten
Mit den steigenden Anforderungen an die elektrischen Eigenschaften von MOSFETs und der Notwendigkeit mit der Miniaturisierung der Transistoren verbundenen Effekte (z. B. Kurzkanaleffekte) umzugehen, wurde in den vergangen Jahrzehnten Varianten des planaren MOSFET entwickelt. Sie unterscheiden sich häufig in der Gestaltung des Dotierungsprofils oder der Materialwahl. Beispiele sind LDD-MOSFETs (von engl. lightly doped drain), Transistoren mit Halo-Implantaten oder gestrecktem Silizium sowie HKMG-Transistoren. Da in der Regel verschiedene Verbesserungen gleichzeitig genutzt werden, lässt sich hier jedoch keine Klassifikation anwenden.
Darüber hinaus ist zwischen lateralen (also parallel zu der Oberfläche ausgerichteten) und vertikalen Bauformen zu unterscheiden. Während laterale Transistoren vorwiegend in der Nachrichtentechnik zum Einsatz kommen (lateral double-diffused MOSFET, LDMOS[4]), findet sich die vertikale Bauform überwiegend in der Leistungselektronik wieder. Der Vorteil der vertikalen Struktur liegt in der höheren möglichen Sperrspannung der Bauelemente.
Quelle: https://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
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