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Schnelle Ansteuerung von MOSFETs Si9926ADY (Bauelemente)

verfasst von schaerer(R)  E-Mail, Kanton Zürich (Schweiz), 19.03.2014, 13:16 Uhr
(editiert von schaerer am 19.03.2014 um 13:18)

» Rise Time ist 40ns und Turn-On Delay Time ist 22ns.

Turn-Off-Delay-Time = 50ns felt noch. Reicht abet noch mimer...

» Bei 1MHz beträgt die an Zeit 500ns, also reicht die Rise Time Turn-On Delay
» Time eigentlich aus.
»
» Auf welche Diagramme muss ich noch achten?

EDIT: Siehe Posting von xy.

Ein dazu noch weiteres wichtiges Diagramm erkenn ich nicht, betreffs dieses dynamischen Vorganges. Die Gate-Ladung spielt natürlich auch eine Rolle. Gerade mit dem Quellwiderstand der Treiberschaltung und mit dem R_G nahe am Gate.

Beachte bei diesen Zeitangaben, die Testbedingungen. Wenn Du abweichende Werte hast, weichen auch diese Zeitangaben ab. Beachte R_G = 6 Ohm. Sehr niederohmig. Dazu mein Posting weiter oben...

Ich empfehle Dir mit diesen Angaben selbst echt zu experimentieren, weil nur das vermittelt Dir wirklich ein Gefühl von Sicherheit durch aufbauende Erfahrung.

--
Gruss
Thomas

Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9



Gesamter Thread:

Schnelle Ansteuerung von MOSFETs - Heinz, 19.03.2014, 10:49 (Bauelemente)
Schnelle Ansteuerung von MOSFETs - geralds(R), 19.03.2014, 10:57
Schnelle Ansteuerung von MOSFETs - schaerer(R), 19.03.2014, 11:08
Schnelle Ansteuerung von MOSFETs - Heinz, 19.03.2014, 11:14
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Schnelle Ansteuerung von MOSFETs - Interessierter User, 19.03.2014, 21:28
Schnelle Ansteuerung von MOSFETs - Jogi(R), 21.03.2014, 11:14