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Board-AnsichtQuelle Elko!!! (Elektronik)
verfasst von Kendiman
, 22.09.2013, 10:51 Uhr
» @ Jo : Quellenangen sind Hilfreich, meine Glaskugel ist oft in Reparatur!
» @ Kendimann
» Das mit dem vernachlässigen von R_E steht so im Ektronik-kompendium!!
»
» Die Begründung auch.
» Ob das stimmt, kann ich nicht beurteilen.
»
»
» Grüße Ludi
» @ Jo : Quellenangen sind Hilfreich, meine Glaskugel ist oft in Reparatur!
» @ Kendimann
» Das mit dem vernachlässigen von R_E steht so im Ektronik-kompendium!!
»
» Die Begründung auch.
» Ob das stimmt, kann ich nicht beurteilen.
»
»
» Grüße Ludi
Hallo,
ja, es wäre sehr hilfreich gewesen, wenn Seb die Quelle
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/1506301.htm
gleich angegeben hätte. Dann hätte ich gleich viel besser antworten können.
Außerdem hätte ich nicht so lange suchen müssen.
Mit den gemachten Angaben zur Berechnung von R2 bin ich absolut anderer Meinung.
Die originale Formel ist o.k.
Die vereinfachte Formel bringt so viel Abweichung, dass die Schaltung kaum
funktionieren kann
Beispiel: IB = 0,5 mA Iq = 10 * IB = 5 mA ( akzeptabel ), UBE = 0,6 V (Silizium)
Ub = 12 V , URE = 1,2 V ( 10 % der Betriebsspannung für URE sind ein
vertretbarer Kompromiss.
Je geringer die Spannung am Emitterwiderstand RE umso schlechter ist die
thermische Arbeitspunktstabilisation.
Je größer die Spannung an RE umso weniger hat der Transistor zur Aussteuerung.
Bei 10 % URE vom Ub ergibt sich folgendes für den Arbeitspunk A
Ub = 12 V, URC = 5,4 V , UCE = 5,4 V URE = 1,2 V
R2 = (UBE + URE)/ Iq = ( 0,6 V + 1,2 V ) / 5 mA = 360 Ohm (URE berücksichtigt)
R2 = URE / Iq = 0,6 V / 5 mA = 120 Ohm (vereinfachte Formel)
Der Unterschied ist einfach zu groß !
Gruß Kendiman
Gesamter Thread:
, 21.09.2013, 20:25, 22.09.2013, 10:51, 22.09.2013, 14:47, 24.09.2013, 09:06