Forum

MOSFET's parallel schalten? (Elektronik)

verfasst von Thorsten , 16.07.2004, 12:50 Uhr

Hallo!

Zu meinem Thread "Zündanlage - Problem mit MOSFET" (weiter unten) habe ich nun eine weitere Frage. Ich habe eine Schaltung, in der ein P-Kanal-Mosfet als einfacher Schalter eingesetzt wird. Zu schalten ist eine einfache ohmsche Last (U-Zünder, 1 Ohm/Stück), der Gesamtwiderstand schwankt je nach Zünderanzahl (Reihe) und Kabellänge zwischen >1 Ohm und <200 Ohm. Die Versorgungsspannung beträgt 300 Volt Gleichspannung (elkogepumpt). Bedingt durch den Schutzwiderstand R1 (22 Ohm) fliesst also ein maximaler Impulsstrom von 13 Ampere (leider weiss ich nicht exakt, wie lange die Zünder zur Zündung brauchen, es ist aber definitiv weniger als 0,5 Sekunden).

Aus Kosten- und Beschaffungsgründen wird der P-Kanal-Mosfet MTP2P50E zum Einsatz kommen. Laut Datenblatt http://www.onsemi.com/pub/Collateral/MTP2P50E-D.PDF verträgt er -500V/-2.0A (-6.0A pulse).

Nun die Fragen:

1. Ist es möglich, durch einfaches Parallelschalten zweier Mosfets an G, D und S die Leistung zu verdoppeln? Was müsste bei der Beschaltung evtl. beachtet werden?

2. Wenn Parallelschalten möglich ist: erhöhen sich die Datenblattwerte "Impulsspitzenstrom", weil ich nur 300V schalte? Die 2 x 6.0A gelten doch für 500V (Pmax=75W). Würde sich dadurch bei nur 300V der Impulsspitzenstrom von 6A auf 10A pro Mosfet erhöhen? Da ich max. 13A Spitzenimpulsstrom schalten muss, läge ich dann mit 2x10A doch auf der sicheren Seite. Andernfalls wären 2x6A doch arg knapp. Stellt dieser Grenzbereich ein großes Risiko dar?

3. Kann der Schutzwiderstand R1 in dieser Lowside-Beschaltung an der Stelle bleiben, wo er sitzt, oder sollte er besser auf zusammen mit den Zündern auf Source gelegt werden?

4. Aus schaltungstechnischen und Sicherheitsgründen wird der Mosfet-Schalter nicht durch einen Wechsel des Gatepotenzials durchgeschaltet, sondern durch die allgemeine Zündtaste, die den Mosfet von der Versorgungsspannung trennt. Der Mosfet wird gesperrt (+12V), wenn er bei Druck auf "Zündung" NICHT durchschalten soll, und bekommt +0V, wenn er bei Druck auf "Zündung" schalten soll. Diese Schaltspannungen liegen natürlich bereits VOR Druck auf "Zündung" am Mosfet-Gate an (Vorwiderstand 3,3K), also bevor er an Drain mit der Schaltspannung versorgt wird. Ändert dies seine Schalteigenschaften, oder ist das für seine maximalen Schaltleistungen irrelevant?

Vielen Dank im voraus für jede Hilfe!
Thorsten

Schaltplan-Schema:

Gesamter Thread: