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H-Brücke: Kapazität zwischen Drain und Source zum entkoppeln (Elektronik)

verfasst von Thomas Kuster , 12.04.2012, 16:18 Uhr

Hallo John

ja, im Datenblatt steht, dass man zwischen Drain und Source der externen Power-Mosfets keramische C's mit 100nF Kapazität schalten soll. Das sollte die Überspannung, welche durch die Zuleitungsinduktivität entsteht, über dem Fet bei schnellen Schaltvorgängen reduzieren.

Normalerweise macht man das eher durch die Dimensionierung der Gate-Widerstände. Weil das aber den Schutz vor dem gleichzeitigen Leiten aushebeln könnte, schlägt Allegro hier diese Methode vor, welche lediglich die Verlustleistung in den Power-Mosfet's erhöht und deshalb unkritischer in der Anwendung ist.

Mit vielen freundlichen Grüssen Thomas

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